ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี BSS84LT1G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - BSS84LT1G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - BSS84LT1G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2V @ 250µA | |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-23-3 (TO-236) | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 10Ohm @ 100mA, 5V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 225mW (Ta) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 30 pF @ 5 V | |
| ประเภท FET | P-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 5V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 50 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 130mA (Ta) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | BSS84 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi BSS84LT1G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | BSS84LT1G | BSS84LT1 | BSS84DW | BSS84CT1G |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | Yangjie Technology | AMI Semiconductor/onsemi |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 225mW (Ta) | - | - | - |
| ชุด | - | - | - | - |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | - | - | - |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2V @ 250µA | 2V @ 250µA | - | - |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 5V | - | - | - |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 10Ohm @ 100mA, 5V | 10Ohm @ 100mA, 5V | - | - |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | - |
| ประเภท FET | P-Channel | P-Channel | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | BSS84 | BSS84 | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | - | - |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 30 pF @ 5 V | 30 pF @ 5 V | - | - |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 50 V | 50 V | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-23-3 (TO-236) | SOT-23-3 (TO-236) | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | - | - |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 130mA (Ta) | 130mA (Ta) | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล BSS84LT1G PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ BSS84LT1G - onsemi
BSS84LT1onsemiMOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23BSS84CT1GAMI Semiconductor/onsemi
BSS84DW-7-F MOSDiodes Incorporated
BSS84DWQ-13Diodes IncorporatedBSS FAMILY SOT363 T&R 10K
BSS84PCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSS84PE6327Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSS84P E6327BSS84E7894INFINEON/FAIRCHILDBSS84DWYangjie TechnologyTransistors - FETs, MOSFETs - SiBSS84DW-7-FDiodes IncorporatedMOSFET 2P-CH 50V 0.13A SC70-6BSS84P H6327Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSS84DW T/RPANJITBSS84N3CYSTECHBSS84P MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSS84E6327BSS84P H6433Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSS84E-6327SiemensBSS84P L6327Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที