ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี C106M1
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - C106M1 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - C106M1
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - วันที่ของรัฐ (Vtm) (สูงสุด) | 2.2 V | |
| แรงดันไฟฟ้า - ปิดเครื่อง | 600 V | |
| แรงดันไฟฟ้า - กระตุ้นเกท (Vgt) (สูงสุด) | 800 mV | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-126 | |
| ชุด | - | |
| ประเภท SCR | Sensitive Gate | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-225AA, TO-126-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 110°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - วันที่ของรัฐ (มัน (RMS)) (สูงสุด) | 4 A | |
| ปัจจุบัน - วันที่ของรัฐ (มัน (AV)) (สูงสุด) | 2.55 A | |
| ปัจจุบันเปิด - ปิดของรัฐ (สูงสุด) | 10 µA | |
| ปัจจุบัน -. องค์กรไม่แสวงหาตัวแทน Surge 50, 60Hz (ITSM) | 20A @ 60Hz | |
| ปัจจุบัน - ถือ (Ih) (สูงสุด) | 3 mA | |
| ปัจจุบัน - กระตุ้นเกท (Igt) (สูงสุด) | 200 µA | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | C106 |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | RoHS ไม่เป็นไปตามข้อกำหนด |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
| เข้าถึงสถานะ | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.30.0080 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi C106M1
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | C106M1 | C106MG | C106BG | C106D1G |
| ผู้ผลิต | onsemi | Littelfuse Inc. | Littelfuse Inc. | Littelfuse Inc. |
| แรงดันไฟฟ้า - กระตุ้นเกท (Vgt) (สูงสุด) | 800 mV | 800 mV | 800 mV | 800 mV |
| ปัจจุบัน - วันที่ของรัฐ (มัน (RMS)) (สูงสุด) | 4 A | 4 A | 4 A | 4 A |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | C106 | C106 | C106 | C106 |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 110°C | -40°C ~ 110°C | -40°C ~ 110°C | -40°C ~ 110°C |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-126 | TO-225AA | TO-225AA | TO-225AA |
| ปัจจุบัน -. องค์กรไม่แสวงหาตัวแทน Surge 50, 60Hz (ITSM) | 20A @ 60Hz | 20A @ 60Hz | 20A @ 60Hz | 20A @ 60Hz |
| แรงดันไฟฟ้า - ปิดเครื่อง | 600 V | 600 V | 200 V | 400 V |
| ชุด | - | - | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Box | Box | Box |
| ปัจจุบัน - ถือ (Ih) (สูงสุด) | 3 mA | 3 mA | 3 mA | 3 mA |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ปัจจุบัน - วันที่ของรัฐ (มัน (AV)) (สูงสุด) | 2.55 A | 2.55 A | 2.55 A | 2.55 A |
| แรงดันไฟฟ้า - วันที่ของรัฐ (Vtm) (สูงสุด) | 2.2 V | 2.2 V | 2.2 V | 2.2 V |
| ปัจจุบัน - กระตุ้นเกท (Igt) (สูงสุด) | 200 µA | 200 µA | 200 µA | 200 µA |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-225AA, TO-126-3 | TO-225AA, TO-126-3 | TO-225AA, TO-126-3 | TO-225AA, TO-126-3 |
| ปัจจุบันเปิด - ปิดของรัฐ (สูงสุด) | 10 µA | 10 µA | 10 µA | 10 µA |
| ประเภท SCR | Sensitive Gate | Sensitive Gate | Sensitive Gate | Sensitive Gate |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล C106M1 PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ C106M1 - onsemi
C10A50Z4TTM Technologies, Inc.FREQUENCY TERMINATION
C10920_BRIDGET-WLedilREFLECTOR 22.59MM RND WIDE
C106M1G/TO-126AMI Semiconductor/onsemi
C10G0.5Eaton - Bussmann Electrical DivisionFUSE CARTRIDGE 500MA 500VAC 5AGC106BG/TO-126AMI Semiconductor/onsemi
C1060CNECC106MGLittelfuse Inc.SCR 600V 4A TO225AAC106BGLittelfuse Inc.SCR 200V 4A TO225AAC1094GNECC106D1GLittelfuse Inc.SCR 400V 4A TO225AAC106M6AMI Semiconductor/onsemiC1069603SKYC106DG/TO-126AMI Semiconductor/onsemiC106M/D/GAMI Semiconductor/onsemiC106MG/TO-126AMI Semiconductor/onsemiC106DGLittelfuse Inc.SCR 400V 4A TO225AAC10514N1-02-3-1 G018JONHONC106M1GLittelfuse Inc.SCR 600V 4A TO225AA| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที