ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี CPH3348-TL-E
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Sanyo - CPH3348-TL-E คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Sanyo - CPH3348-TL-E
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | - | |
| Vgs (สูงสุด) | ±10V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 3-CPH | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 1.5A, 4.5V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 1W (Ta) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SC-96 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 405 pF @ 6 V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 5.6 nC @ 4.5 V | |
| ประเภท FET | P-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 12 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 3A (Ta) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | CPH334 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Sanyo CPH3348-TL-E
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | CPH3348-TL-E | CPH3340-TL-E | CPH3341-TL-E | CPH3355-TL-W |
| ผู้ผลิต | Sanyo | onsemi | onsemi | onsemi |
| ประเภท FET | P-Channel | P-Channel | P-Channel | P-Channel |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 3A (Ta) | 5A (Ta) | 5A (Ta) | 2.5A (Ta) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 3-CPH | 3-CPH | 3-CPH | 3-CPH |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | CPH334 | - | - | CPH3355 |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SC-96 | SC-96 | SC-96 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 5.6 nC @ 4.5 V | 16 nC @ 4 V | 21.8 nC @ 10 V | 3.9 nC @ 10 V |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 1.5A, 4.5V | 45mOhm @ 2.5A, 4V | 45mOhm @ 2.5A, 10V | 156mOhm @ 1A, 10V |
| ชุด | - | - | - | - |
| Vgs (สูงสุด) | ±10V | - | - | ±20V |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | - | - | - | 2.6V @ 1mA |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V | - | - | 4V, 10V |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 1W (Ta) | 1.2W (Ta) | 1.2W (Ta) | 1W (Ta) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Tape & Reel (TR) |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 405 pF @ 6 V | 1875 pF @ 10 V | 1115 pF @ 10 V | 172 pF @ 10 V |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 12 V | 20 V | 30 V | 30 V |
CPH3337-TL-HAMI Semiconductor/onsemiCPH3340-TL-EonsemiMOSFET P-CH 20V 5A 3CPHCPH3338-TL-EonsemiPCH 4V DRIVE SERIESCPH3341-TL-EonsemiMOSFET P-CH 30V 5A 3CPHCPH3355-TL-WonsemiMOSFET P-CH 30V 2.5A 3CPHCPH3337-TL-ECPH3356-TL-WonsemiMOSFET P-CH 20V 2.5A 3CPHCPH3338AMI Semiconductor/onsemiCPH3350-TL-WonsemiMOSFET P-CH 20V 3A 3CPHCPH3348AMI Semiconductor/onsemiCPH3338-TAMI Semiconductor/onsemiCPH3348-TL-WonsemiMOSFET P-CH 12V 3A 3CPHCPH3351-TL-WonsemiMOSFET P-CH 60V 1.8A 3CPHCPH3338-T-TL-HonsemiPCH 4V DRIVE SERIESCPH3355-TL-HonsemiCPH3355 - SINGLE P-CHANNEL POWERCPH3350-TL-HonsemiSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSICPH3331-TL-ESanyoP-CHANNEL SILICON MOSFET FOR GEN
CPH3351-TL-HAMI Semiconductor / ON SemiconductorMOSFET P-CH 60V 1.8A CPH3| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที