ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี DCG010-TL-E
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Sanyo - DCG010-TL-E คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Sanyo - DCG010-TL-E
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 100 mA | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 80 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 3-MCP | |
| ความเร็ว | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 4 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SC-70, SOT-323 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 125°C (Max) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 500 nA @ 80 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 100mA |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Sanyo DCG010-TL-E
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | DCG010-TL-E | STTH200W04TV1 | 6CWQ03FN | DAN222M3T5G |
| ผู้ผลิต | Sanyo | STMicroelectronics | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | onsemi |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 500 nA @ 80 V | 40 µA @ 400 V | 2 mA @ 30 V | 100 nA @ 70 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 80 V | 400 V | 30 V | 80 V |
| ความเร็ว | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| ชุด | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 100mA | 100A | 3.5A | 100mA (DC) |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 100 mA | 1.55 V @ 100 A | 450 mV @ 3 A | 1.2 V @ 100 mA |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | 2 Independent | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 4 ns | 55 ns | - | 4 ns |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 3-MCP | ISOTOP | D-PAK (TO-252AA) | SOT-723 |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Chassis Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 125°C (Max) | 150°C (Max) | -40°C ~ 150°C | 150°C (Max) |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Schottky | Standard |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SC-70, SOT-323 | SOT-227-4, miniBLOC | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | SOT-723 |
STTH200W04TV1STMicroelectronicsDIODE MODULE 400V 100A ISOTOP6CWQ03FNVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ARRAY SCHOTTKY 30V DPAKDAN222M3T5GonsemiDIODE ARRAY GP 80V 100MA SOT723
DCG85X1200NAIXYSDIODE MOD SCHOTTKY 1200V SOT227B
STPS40L15CTSTMicroelectronicsDIODE ARRAY SCHOTTKY 15V TO220ABDCG100X1200NAIXYSDIODE MOD SCHOTTKY 1200V SOT227B
1SS361FV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDIODE ARRAY GP 80V 100MA VESMDCG45X1200NAIXYSDIODE MOD SCHOTTKY 1200V SOT227B
MMBD101LT1onsemiDIODE SCHOTTKY 225MW 7V SOT23
STTH16L06CG-TRSTMicroelectronicsDIODE ARRAY GP 600V 10A D2PAK
20CJQ060SMC Diode SolutionsDIODE ARRAY SCHOTTKY 60V SOT223
DCG010-TL-EFairchild SemiconductorULTRAHIGH-SPEED SWITCHING DIODE
BAW56_R1_00001Panjit International Inc.SOT-23, SWITCHING
RB095T-40Rohm SemiconductorDIODE ARRAY SCHOTTKY 40V TO220FNMBR40100CTYangjie TechnologyDiodes - Rectifiers - Single TO-
M1MA151WAT1onsemiDIODE SW DUAL CA 40V SC-59DCG130X1200NAIXYSDIODE MOD SCHOTTKY 1200V SOT227B
DAP202UT106Rohm SemiconductorDIODE ARRAY GP 80V 100MA UMD3| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที