ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี DCG010-TL-E
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Sanyo - DCG010-TL-E คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Sanyo - DCG010-TL-E
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 100 mA | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 80 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 3-MCP | |
| ความเร็ว | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 4 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SC-70, SOT-323 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 125°C (Max) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 500 nA @ 80 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 100mA |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Sanyo DCG010-TL-E
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | DCG010-TL-E | DCG130X1200NA | V50100P-E3/45 | FEP16FTD |
| ผู้ผลิต | Sanyo | IXYS | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | onsemi |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 500 nA @ 80 V | 800 µA @ 1200 V | 1 mA @ 100 V | 10 µA @ 300 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 80 V | 1200 V | 100 V | 300 V |
| ความเร็ว | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ชุด | - | - | TMBS® | - |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 100mA | 64A | 25A | 16A |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 100 mA | 1.8 V @ 60 A | 780 mV @ 25 A | 1.3 V @ 8 A |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tube | Tube | Tube |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | 2 Independent | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Series Connection |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 4 ns | 0 ns | - | 50 ns |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 3-MCP | SOT-227B | TO-247AD (TO-3P) | TO-220-3 |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Chassis Mount | Through Hole | Through Hole |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 125°C (Max) | -40°C ~ 175°C | -40°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| เทคโนโลยี | Standard | SiC (Silicon Carbide) Schottky | Schottky | Standard |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SC-70, SOT-323 | SOT-227-4, miniBLOC | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-220-3 |
DCG130X1200NAIXYSDIODE MOD SCHOTTKY 1200V SOT227B
DCG10-TDAMI Semiconductor/onsemiV50100P-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO247FEP16FTDonsemiDIODE ARRAY GP 300V 16A TO220AB
SBAS16DXV6T1GonsemiDIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT563
STPS2045CFPSTMicroelectronicsDIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO220FP
MDD72-16N1BIXYSDIODE MODULE 1.6KV 113A TO240AADCG45X1200NAIXYSDIODE MOD SCHOTTKY 1200V SOT227BDCG015-TLAMI Semiconductor/onsemiDCG85X1200NAIXYSDIODE MOD SCHOTTKY 1200V SOT227B
F1892CCD1600Sensata-CrydomDIODE MODULE 1.6KV 90A
STTH60L06TV2STMicroelectronicsDIODE MODULE 600V 40A ISOTOP
APT2X151DL60JMicrochip TechnologyDIODE MODULE 600V 150A ISOTOP
DCG010-TL-EFairchild SemiconductorULTRAHIGH-SPEED SWITCHING DIODEMBRF30L60CTGonsemiDIODE ARRAY SCHOTTKY 60V TO220FP
BAV99BRLP-7Diodes IncorporatedDIODE ARRAY GP 75V 300MA 6DFN
MUR1620CTRonsemiDIODE ARRAY GP 200V 8A TO220ABDCG100X1200NAIXYSDIODE MOD SCHOTTKY 1200V SOT227B| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที