ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี DTA123EM3T5G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - DTA123EM3T5G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - DTA123EM3T5G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 50 V | |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 10mA | |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | PNP - Pre-Biased | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-723 | |
| ชุด | - | |
| ตัวต้านทาน - ฐาน emitter (R2) | 2.2 kOhms | |
| ตัวต้านทาน - ฐาน (R1) | 2.2 kOhms |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 260 mW | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOT-723 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 8 @ 5mA, 10V | |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 500nA | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 100 mA | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | DTA123 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi DTA123EM3T5G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | DTA123EM3T5G | DTA123EETL | DTA123EKAT146 | DTA123JE |
| ผู้ผลิต | onsemi | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Yangjie Technology |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | PNP - Pre-Biased | PNP - Pre-Biased | PNP - Pre-Biased | PNP - Pre-Biased + Diode |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOT-723 | SC-75, SOT-416 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SOT-523 |
| ตัวต้านทาน - ฐาน emitter (R2) | 2.2 kOhms | 2.2 kOhms | 2.2 kOhms | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | DTA123 | DTA123 | DTA123 | DTA123 |
| ตัวต้านทาน - ฐาน (R1) | 2.2 kOhms | 2.2 kOhms | 2.2 kOhms | 2.2 kOhms |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 500nA | 500nA | 500nA (ICBO) | 500nA |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 10mA | 300mV @ 500µA, 10mA | 300mV @ 500µA, 10mA | 300mV @ 250µA, 5mA |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-723 | EMT3 | SMT3 | SOT-523 |
| ชุด | - | - | - | - |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 260 mW | 150 mW | 200 mW | 150 mW |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 50 V | 50 V | 50 V | 50 V |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 100 mA | 100 mA | 100 mA | 100 mA |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 8 @ 5mA, 10V | 20 @ 20mA, 5V | 20 @ 20mA, 5V | 80 @ 10mA, 5V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล DTA123EM3T5G PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ DTA123EM3T5G - onsemi
DTA123EETLRohm SemiconductorTRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3DTA123EEFTLLAPIS TechnologyDTA123EUA T106LAPIS TechnologyDTA123JEBLAPIS TechnologyDTA123EMGT2LLAPIS TechnologyDTA123EUAYangjie TechnologyTransistors - Bipolar (BJT) - SiDTA123EKAT146Rohm SemiconductorTRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3DTA123EKA T146LAPIS TechnologyDTA123JEYangjie TechnologyTransistors - Bipolar (BJT) - SiDTA123EMLAPIS TechnologyDTA123JE TLLAPIS TechnologyDTA123EE TLLAPIS Technology
DTA123EET1onsemiTRANS PREBIAS PNP 200MW SC75DTA123EKALAPIS TechnologyDTA123EUAT106Rohm SemiconductorTRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3DTA123EKLAPIS TechnologyDTA123ESATPLAPIS Technology
DTA123JCAYangjie TechnologyTransistors - Bipolar (BJT) - Si| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที