ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี DTC123JET1
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - DTC123JET1 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - DTC123JET1
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 50 V | |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA | |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | NPN - Pre-Biased | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SC-75, SOT-416 | |
| ชุด | - | |
| ตัวต้านทาน - ฐาน emitter (R2) | 47 kOhms | |
| ตัวต้านทาน - ฐาน (R1) | 2.2 kOhms |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 200 mW | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SC-75, SOT-416 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 80 @ 5mA, 10V | |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 500nA | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 100 mA | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | DTC123 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi DTC123JET1
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | DTC123JET1 | DTC123JKA | DTC123JCA | DTC123JEBTL |
| ผู้ผลิต | onsemi | Rectron USA | Rectron USA | Rohm Semiconductor |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SC-75, SOT-416 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SC-89, SOT-490 |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | NPN - Pre-Biased | NPN - Pre-Biased | NPN - Pre-Biased | NPN - Pre-Biased |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 80 @ 5mA, 10V | 80 @ 10mA, 5V | 80 @ 10mA, 5V | 80 @ 10mA, 5V |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 100 mA | 100 mA | 100 mA | 100 mA |
| ตัวต้านทาน - ฐาน emitter (R2) | 47 kOhms | 46.2 kOhms | 46.2 kOhms | 47 kOhms |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 500nA | 500nA | 500nA | 500nA |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SC-75, SOT-416 | SOT-23 | SOT-23 | EMT3F (SOT-416FL) |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA | 300mV @ 250µA, 5mA | 300mV @ 250µA, 5mA | 300mV @ 250µA, 5mA |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | DTC123 | DTC123 | DTC123 | DTC123 |
| ชุด | - | - | - | - |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 200 mW | 200 mW | 200 mW | 150 mW |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 50 V | 50 V | 50 V | 50 V |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ตัวต้านทาน - ฐาน (R1) | 2.2 kOhms | 2.2 kOhms | 2.2 kOhms | 2.2 kOhms |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล DTC123JET1 PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ DTC123JET1 - onsemi
DTC123JEBLAPIS TechnologyDTC123JMLAPIS TechnologyDTC123JE TLLAPIS TechnologyDTC123JKARectron USATRANS PRE-BIASED 200MA SOT-23DTC123JEB TLLAPIS TechnologyDTC123JM E42LAPIS TechnologyDTC123JELAPIS TechnologyDTC123JE E42CJDTC123JCARectron USATRANS PRE-BIASED 200MA SOT-23
DTC123JCAYangjie TechnologySOT-23 NPN 0.2W 0.1A TransistorDTC123JEBTLRohm SemiconductorTRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3FDTC123JKAT146Rohm SemiconductorTRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3DTC123JETLVRHOMDTC123JETLRohm SemiconductorTRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3DTC123JKA T146LAPIS TechnologyDTC123EUAFS T106LAPIS TechnologyDTC123EUAT106Rohm SemiconductorTRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3DTC123JET1GonsemiTRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC75| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที