ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี ECH8601M-C-TL-H
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - ECH8601M-C-TL-H คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - ECH8601M-C-TL-H
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | - | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-ECH | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 4A, 4.5V | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 1.5W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SMD, Flat Lead | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | - | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 7.5nC @ 4.5V | |
| คุณสมบัติ FET | Logic Level Gate, 2.5V Drive | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 24V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 8A | |
| องค์ประกอบ | 2 N-Channel (Dual) Common Drain | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | ECH8601 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi ECH8601M-C-TL-H
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | ECH8601M-C-TL-H | ECH8601M-TL-H | ECH8601M-P-TL-H | ECH8601M-TL-H-P |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 4A, 4.5V | 23mOhm @ 4A, 4.5V | - | 23mOhm @ 4A, 4.5V |
| คุณสมบัติ FET | Logic Level Gate, 2.5V Drive | Logic Level Gate, 2.5V Drive | - | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | - | - | - | - |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | MOSFET (Metal Oxide) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-ECH | 8-ECH | - | 8-ECH |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 7.5nC @ 4.5V | 7.5nC @ 4.5V | - | 7.5nC @ 4.5V |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | - | Surface Mount |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | ECH8601 | ECH8601 | ECH8601 | ECH8601 |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 24V | 24V | - | 24V |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 1.5W | - | - | - |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 8A | 8A (Ta) | - | 8A (Ta) |
| องค์ประกอบ | 2 N-Channel (Dual) Common Drain | 2 N-Channel (Dual) Common Drain | - | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | - | 150°C (TJ) |
| ชุด | - | - | - | - |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | - | 1.3V @ 1mA | - | 1.3V @ 1mA |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SMD, Flat Lead | 8-SMD, Flat Lead | - | 8-SMD, Flat Lead |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล ECH8601M-C-TL-H PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ ECH8601M-C-TL-H - onsemi
ECH8601RAMI Semiconductor/onsemiECH8601AMI Semiconductor/onsemi
ECH8502-TL-HonsemiTRANS NPN/PNP 100V/50V 5A 8ECHECH8601M-TL-HonsemiMOSFET N-CH 24V 8A ECH8ECH8601M-TLAMI Semiconductor/onsemiECH8601R-B-TL-HAMI Semiconductor/onsemiECH8601R-TL-EXonsemiNCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES
ECH8601R-TL-EON/SANYOECH8410-TL-HSanyoMOSFET N-CH 30V 12A SOT28FL/ECH8ECH8601M-P-TL-HonsemiMOSFET 2N-CH ECH8ECH8420-TL-HonsemiMOSFET N-CH 20V 14A 8ECHECH8601-TL-EAMI Semiconductor/onsemiECH8601M-CAMI Semiconductor/onsemiECH8601R-H-TL-EAMI Semiconductor/onsemiECH8601M-TL-H-PonsemiMOSFET 2N-CHECH8411 MOSAMI Semiconductor/onsemiECH8601-TLAMI Semiconductor/onsemiECH8601-V-TL-EAMI Semiconductor/onsemi| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที