ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี ECH8653-TL-H
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - ECH8653-TL-H คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - ECH8653-TL-H
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | - | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-ECH | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 4A, 8V | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 1.5W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SMD, Flat Lead | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1280pF @ 10V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 18.5nC @ 8V | |
| คุณสมบัติ FET | Logic Level Gate | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 20V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 7.5A | |
| องค์ประกอบ | 2 N-Channel (Dual) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | ECH8653 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi ECH8653-TL-H
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | ECH8653-TL-H | ECH8652-TL-H | ECH8651R-TL-HX | ECH8655R-TL-H |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 4A, 8V | 28mOhm @ 3A, 4.5V | 14mOhm @ 5A, 4.5V | 17mOhm @ 4.5A, 4.5V |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | ECH8653 | ECH8652 | ECH8651 | ECH8655 |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1280pF @ 10V | 1000pF @ 6V | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SMD, Flat Lead | 8-SMD, Flat Lead | 8-SMD, Flat Lead | 8-SMD, Flat Lead |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | - | - | - | - |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ชุด | - | - | - | - |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 18.5nC @ 8V | 11nC @ 4.5V | 24nC @ 10V | 16.8nC @ 10V |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 1.5W | 1.5W | 1.5W | 1.5W |
| คุณสมบัติ FET | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 7.5A | 6A | 10A | 9A |
| องค์ประกอบ | 2 N-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 20V | 12V | 24V | 24V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-ECH | 8-ECH | 8-ECH | 8-ECH |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล ECH8653-TL-H PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ ECH8653-TL-H - onsemi
ECH8652-TL-HonsemiMOSFET 2P-CH 12V 6A ECH8
ECH8653AMI Semiconductor/onsemiECH8651RR-TL-HAMI Semiconductor/onsemiECH8653 MOSAMI Semiconductor/onsemiECH8655RR-TLAMI Semiconductor/onsemiECH8651R-TL-H MOSAMI Semiconductor/onsemiECH8651R-TL-WAMI Semiconductor/onsemiECH8651R-TL-HXonsemiMOSFET 2N-CH 24V 10A ECH8ECH8652-S-TLAMI Semiconductor/onsemiECH8655R-TLAMI Semiconductor/onsemiECH8655R-TL-HonsemiMOSFET 2N-CH 24V 9A 8ECHECH8655R-TL-H MOSAMI Semiconductor/onsemiECH8654-TLAMI Semiconductor/onsemiECH8653-S-TL-HonsemiMOSFET 2N-CH 20V 7.5A ECH8ECH8655R-R-TLAMI Semiconductor/onsemiECH8652-S-TL-HAMI Semiconductor/onsemiECH8654-TL-HonsemiMOSFET 2P-CH 20V 5A 8ECHECH8655RAMI Semiconductor/onsemi| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที