ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี ECH8690-TL-H
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - ECH8690-TL-H คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - ECH8690-TL-H
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | - | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-ECH | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 55mOhm @ 2A, 10V | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 1.5W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SMD, Flat Lead | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 955pF @ 20V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 18nC @ 10V | |
| คุณสมบัติ FET | Logic Level Gate, 4V Drive | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 60V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 4.7A, 3.5A | |
| องค์ประกอบ | N and P-Channel | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | ECH8690 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi ECH8690-TL-H
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | ECH8690-TL-H | ECH8667-TL-H | ECH8693R-TL-W | ECH8668-TL-H |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 1.5W | 1.5W | 1.4W | 1.5W |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 4.7A, 3.5A | 5.5A | 14A | 7.5A, 5A |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | - | - | - | - |
| องค์ประกอบ | N and P-Channel | 2 P-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) Common Drain | N and P-Channel |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 60V | 30V | 24V | 20V |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | ECH8690 | ECH8667 | ECH8693 | ECH8668 |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 955pF @ 20V | 600pF @ 10V | - | 1060pF @ 10V |
| คุณสมบัติ FET | Logic Level Gate, 4V Drive | Logic Level Gate | Logic Level Gate, 2.5V Drive | Logic Level Gate |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-ECH | 8-ECH | SOT-28FL/ECH8 | 8-ECH |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 18nC @ 10V | 13nC @ 10V | 13nC @ 4.5V | 10.8nC @ 4.5V |
| ชุด | - | - | - | - |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 55mOhm @ 2A, 10V | 39mOhm @ 2.5A, 10V | 7mOhm @ 5A, 4.5V | 17mOhm @ 4A, 4.5V |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SMD, Flat Lead | 8-SMD, Flat Lead | 8-SMD, Flat Lead | 8-SMD, Flat Lead |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล ECH8690-TL-H PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ ECH8690-TL-H - onsemi
ECH8667-TL-HonsemiMOSFET 2P-CH 30V 5.5A 8ECHECH8693R-TL-WonsemiMOSFET 2N-CH 24V 14A SOT28ECH8692R-TL-WAMI Semiconductor/onsemiECH8692RAMI Semiconductor/onsemiECH8668-TL-HonsemiMOSFET N/P-CH 20V 7.5A/5A ECH8ECH8672AMI Semiconductor/onsemiECH8674-TL-HSanyoP-CHANNEL MOSFETECH8695R-TL-WonsemiMOSFET 2N-CH 24V 11A SOT28ECH8663R-TLAMI Semiconductor/onsemiECH8672 MOSAMI Semiconductor/onsemiECH8693R-TLAMI Semiconductor/onsemiECH8663R-TL-HonsemiMOSFET 2N-CH 30V 8A 8ECHECH8664R-TL-HonsemiMOSFET 2N-CH 30V 7A ECH8ECH8666-P-TL-HAMI Semiconductor/onsemiECH8694R-WAMI Semiconductor/onsemiECH8697R-TL-WonsemiMOSFET 2N-CH 24V 10A SOT28ECH8661-TL-HonsemiMOSFET N/P-CH 30V 7A/5.5A ECH8ECH8692R-TLAMI Semiconductor/onsemi| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที