ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี EGP10D
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - EGP10D คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - EGP10D
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 950 mV @ 1 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-41 | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 50 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AL, DO-41, Axial | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 200 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | EGP10 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi EGP10D
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | EGP10D | EGP10D-E3/73 | EGP10G | EGP10J |
| ผู้ผลิต | onsemi | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | 200 V | 400 V | 600 V |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | EGP10 | EGP10 | - | EGP10 |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ชุด | - | SUPERECTIFIER® | - | - |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 200 V | 5 µA @ 200 V | 5 µA @ 400 V | 5 µA @ 600 V |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AL, DO-41, Axial | DO-204AL, DO-41, Axial | DO-204AL, DO-41, Axial | DO-204AL, DO-41, Axial |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-41 | DO-204AL (DO-41) | DO-204AL (DO-41) | DO-204AL (DO-41) |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 50 ns | 50 ns | 50 ns | 75 ns |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 950 mV @ 1 A | 950 mV @ 1 A | 1.25 V @ 1 A | 1.7 V @ 1 A |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | 22pF @ 4V, 1MHz | - | - |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | 1A | 1A | 1A |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Box (TB) | Bulk | Bulk |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล EGP10D PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ EGP10D - onsemi
EGP10D-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 1A DO204ALEGP10GFairchild SemiconductorRECTIFIER DIODE, 1A, 400V, DO-41
EGP10D-E3Electro-Films (EFI) / VishayEGP10JFairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL
EGP13-12FUJIIGBT ModuleEGP10DE-E3/41Electro-Films (EFI) / VishayEGP13-08FUJIIGBT ModuleEGP10G-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL
EGP04-25Fujitsu Electronics America, Inc.IGBT Module
EGP10JonsemiDIODE GEN PURP 600V 1A DO204ALEGP13-02FUJIIGBT ModuleEGP10GonsemiDIODE GEN PURP 400V 1A DO41EGP10DFairchild SemiconductorRECTIFIER DIODE, 1A, 200V, DO-41EGP13-06FUJIIGBT ModuleEGP13-10FUJIIGBT ModuleEGP13-04FUJIIGBT ModuleEGP10A-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 50V 1A DO204ALEGP10B-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที