ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี EMG2DXV5T1G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - EMG2DXV5T1G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - EMG2DXV5T1G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 50V | |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA | |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-553 | |
| ชุด | - | |
| ตัวต้านทาน - ฐาน emitter (R2) | 47kOhms | |
| ตัวต้านทาน - ฐาน (R1) | 47kOhms | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 230mW |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOT-553 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | - | |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 80 @ 5mA, 10V | |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 500nA | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 100mA | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | EMG2DX |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi EMG2DXV5T1G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | EMG2DXV5T1G | EMG2DXV5T5 | EMG4T2R | EMG6T2R |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 50V | 50V | 50V | 50V |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | EMG2DX | EMG2DX | EMG4T2 | EMG6T2 |
| ชุด | - | - | - | - |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 230mW | 230mW | 150mW | 150mW |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 100mA | 100mA | 100mA | 100mA |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | - | - | 250MHz | 250MHz |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-553 | SOT-553 | EMT5 | EMT5 |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| ตัวต้านทาน - ฐาน emitter (R2) | 47kOhms | 47kOhms | - | - |
| ตัวต้านทาน - ฐาน (R1) | 47kOhms | 47kOhms | 10kOhms | 47kOhms |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOT-553 | SOT-553 | 6-SMD (5 Leads), Flat Lead | 6-SMD (5 Leads), Flat Lead |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 500nA | 500nA | - | 500nA (ICBO) |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 80 @ 5mA, 10V | 80 @ 5mA, 10V | 100 @ 1mA, 5V | 100 @ 1mA, 5V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA | 250mV @ 300µA, 10mA | 300mV @ 1mA, 10mA | 300mV @ 1mA, 10mA |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล EMG2DXV5T1G PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ EMG2DXV5T1G - onsemi
EMG2DXV5T5onsemiTRANS 2NPN PREBIAS 0.23W SOT553
EMG31--08FUJIIGBT ModuleEMG2 T2RLAPIS TechnologyEMG1 T2RLAPIS TechnologyEMG4T2RRohm SemiconductorTRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5EMG100LGKMGYS502EMG6T2RRohm SemiconductorTRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5EMG11T2RRohm SemiconductorTRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5EMG2T2RRohm SemiconductorTRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5EMG11 T2RLAPIS TechnologyEMG5T2RRohm SemiconductorTRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5EMG3T2RRohm SemiconductorTRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT3EMG1T2RRohm SemiconductorTRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
EMG13P632F512G48DRSilicon PowerEMG13P732F512G48DRSilicon PowerEMG31-08FUJIIGBT ModuleEMG6 T2RLAPIS TechnologyEMG111LAPIS Technology| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที