ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FCA35N60
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - FCA35N60 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - FCA35N60
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 5V @ 250µA | |
| Vgs (สูงสุด) | ±30V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-3PN | |
| ชุด | SuperFET™ | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 98mOhm @ 17.5A, 10V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 312.5W (Tc) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-3P-3, SC-65-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 6640 pF @ 25 V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 181 nC @ 10 V | |
| ประเภท FET | N-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 600 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 35A (Tc) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FCA35 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi FCA35N60
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | FCA35N60 | FCA22N60N | FCA36N60NF | FCA47N60 |
| ผู้ผลิต | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 6640 pF @ 25 V | 1950 pF @ 100 V | 4245 pF @ 100 V | 8000 pF @ 25 V |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ชุด | SuperFET™ | SupreMOS™ | FRFET®, SupreMOS® | SuperFET™ |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-3PN | TO-3PN | TO-3PN | TO-3PN |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FCA35 | - | FCA36N60 | FCA47 |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 181 nC @ 10 V | 45 nC @ 10 V | 112 nC @ 10 V | 270 nC @ 10 V |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 312.5W (Tc) | 205W (Tc) | 312W (Tc) | 417W (Tc) |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 98mOhm @ 17.5A, 10V | 165mOhm @ 11A, 10V | 95mOhm @ 18A, 10V | 70mOhm @ 23.5A, 10V |
| Vgs (สูงสุด) | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 35A (Tc) | 22A (Tc) | 34.9A (Tc) | 47A (Tc) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Bulk | Tube | Tube |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล FCA35N60 PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ FCA35N60 - onsemi
FCA50AB50SANREXIGBT ModuleFCA3216KF4-601T02TAI-TECHFCA50CC50SANREXIGBT ModuleFCA22N60NFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2FCA36N60NFonsemiMOSFET N-CH 600V 34.9A TO3PNFCA47N60_F109Fairchild (onsemi)FCA3216MF4-121T03TAI-TECHFCA3216KF4-600T04TAI-TECHFCA3216KF4-102T01TAI-TECHFCA3216KF4-121T03TAI-TECHFCA3216KF4-301T02TAI-TECHFCA3216M4-301T02FCA47N60onsemiMOSFET N-CH 600V 47A TO3PNFCA50CA50SANREXIGBT ModuleFCA3216KF4-471T02TAI-TECHFCA50AA50IGBT ModuleFCA47N60FonsemiMOSFET N-CH 600V 47A TO3PNFCA22N60N MOSFairchild (onsemi)| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที