ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FCA76N60N
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - FCA76N60N คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - FCA76N60N
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Vgs (สูงสุด) | ±30V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-3PN | |
| ชุด | SupreMOS™ | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 36mOhm @ 38A, 10V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 543W (Tc) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-3P-3, SC-65-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 12385 pF @ 100 V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 285 nC @ 10 V | |
| ประเภท FET | N-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 600 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 76A (Tc) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FCA76N60 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi FCA76N60N
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | FCA76N60N | FCA76N60N | FCAS30DN60BB | FCA75CC5O |
| ผู้ผลิต | onsemi | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | SANREX |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-3PN | TO-3PN | - | - |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | - | - |
| Vgs (สูงสุด) | ±30V | ±30V | - | - |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 36mOhm @ 38A, 10V | 36mOhm @ 38A, 10V | - | - |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 600 V | 600 V | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FCA76N60 | - | FCAS30DN60 | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Bulk | Bulk | - |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 285 nC @ 10 V | 285 nC @ 10 V | - | - |
| ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | - | - |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 543W (Tc) | 543W (Tc) | - | - |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 12385 pF @ 100 V | 12385 pF @ 100 V | - | - |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | - | - |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 76A (Tc) | 76A (Tc) | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 | - | - |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| ชุด | SupreMOS™ | SupreMOS™ | * | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล FCA76N60N PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ FCA76N60N - onsemi
FCAS30DN60BBFairchild SemiconductorAC MOTOR CONTROLLER, 60AFCA75CC5OSANREXIGBT ModuleFCA75BC05SANREXIGBT ModuleFCA50CA50SANREXIGBT ModuleFCA50BC50SANREXIGBT ModuleFCAS30DN60Fairchild (onsemi)IGBT Module
FCAS30DN60BBonsemiMODULE SPM FOR SRM 600V SPM20-BCFCA75CA50SANREXIGBT ModuleFCAU1660BFairchild (onsemi)IGBT ModuleFCA76N60NFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7FCAU166BFairchild (onsemi)IGBT Module
FCAB21350LPanasonicFCAS50SN60FCA75BC50SANREXIGBT ModuleFCA75AA50SANREXIGBT ModuleFCA50CC50SANREXIGBT ModuleFCA75CC50SANREXIGBT ModuleFCAU1660AFairchild (onsemi)IGBT Module| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที