ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FCB20N60TM
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - FCB20N60TM คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - FCB20N60TM
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | onsemi | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 5V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±30V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | D²PAK (TO-263) | |
ชุด | SuperFET™ | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 10A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 208W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 3080 pF @ 25 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 98 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 600 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 20A (Tc) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FCB20N60 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi FCB20N60TM
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | FCB20N60TM | FCB20N60FTM | FCB199N65S3 | FCB290N80 |
ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FCB20N60 | FCB20N60 | FCB199 | FCB290 |
Vgs (สูงสุด) | ±30V | ±30V | ±30V | ±20V |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 600 V | 600 V | 650 V | 800 V |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 10A, 10V | 190mOhm @ 10A, 10V | 199mOhm @ 7A, 10V | 290mOhm @ 8.5A, 10V |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 3080 pF @ 25 V | 3080 pF @ 25 V | 1225 pF @ 400 V | 3205 pF @ 100 V |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 4.5V @ 1.4mA | 4.5V @ 1.7mA |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
ชุด | SuperFET™ | SuperFET™ | SuperFET® III | SuperFET® II |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 98 nC @ 10 V | 98 nC @ 10 V | 30 nC @ 10 V | 75 nC @ 10 V |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 208W (Tc) | 208W (Tc) | 98W (Tc) | 212W (Tc) |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 20A (Tc) | 20A (Tc) | 14A (Tc) | 17A (Tc) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | D²PAK (TO-263) | D²PAK (TO-263) | D²PAK (TO-263) | D²PAK (TO-263) |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล FCB20N60TM PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ FCB20N60TM - onsemi
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที