ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FCH104N60F
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - FCH104N60F คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - FCH104N60F
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 5V @ 250µA | |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247-3 | |
| ชุด | HiPerFET™, Polar™ | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 104mOhm @ 18.5A, 10V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 357W (Tc) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 5950 pF @ 100 V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 139 nC @ 10 V | |
| ประเภท FET | N-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 600 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 37A (Tc) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FCH104 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi FCH104N60F
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | FCH104N60F | FCH104N60 | FCH099N60E | FCH104N60 |
| ผู้ผลิต | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 104mOhm @ 18.5A, 10V | 104mOhm @ 18.5A, 10V | 99mOhm @ 18.5A, 10V | 104mOhm @ 18.5A, 10V |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FCH104 | FCH104 | FCH099 | FCH104 |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 5V @ 250µA | 3.5V @ 250µA | 3.5V @ 250µA | 3.5V @ 250µA |
| ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 5950 pF @ 100 V | 4165 pF @ 380 V | 3465 pF @ 380 V | 4165 pF @ 380 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 37A (Tc) | 37A (Tc) | 37A (Tc) | 37A (Tc) |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 139 nC @ 10 V | 82 nC @ 10 V | 114 nC @ 10 V | 82 nC @ 10 V |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Bulk | Tube | Tube |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| ชุด | HiPerFET™, Polar™ | SuperFET® II | SuperFET® II | SuperFET® II |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 357W (Tc) | 357W (Tc) | 357W (Tc) | 357W (Tc) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล FCH104N60F PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ FCH104N60F - onsemi
FCH08A15
FCH10A15KYOCERA AVXDIODE SCHOT 150V 10A TO220 FFCH08A10NIECFCH08A06NIECFCH10U15NIECFCH104N60Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3FCH099N60EonsemiMOSFET N-CH 600V 37A TO247-3FCH10AU10NIECFCH104N60onsemiMOSFET N-CH 600V 37A TO247-3FCH10U10NIECFCH10A04NIECFCH10A06NIECFCH099N65S3AMI Semiconductor/onsemiFCH10A10NIECFCH10A40NIECFCH099N65S3-F155onsemiMOSFET N-CH 650V 30A TO247-3FCH10A20KYOCERA AVXDIODE SCHOT 200V 10A TO220 FFCH08U10NIEC| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที