ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FCI7N60
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - FCI7N60 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - FCI7N60
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 5V @ 250µA | |
| Vgs (สูงสุด) | ±30V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | I2PAK (TO-262) | |
| ชุด | SuperFET™ | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 3.5A, 10V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 83W (Tc) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 920 pF @ 25 V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 30 nC @ 10 V | |
| ประเภท FET | N-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 600 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 7A (Tc) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FCI7 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi FCI7N60
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | FCI7N60 | FCI7N60 | FCI3216V-4R7 | FCI3216V-68N |
| ผู้ผลิต | onsemi | Fairchild Semiconductor | TAI-TECH | TAI-TECH |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FCI7 | - | - | - |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 600 V | 600 V | - | - |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | I2PAK (TO-262) | I2PAK (TO-262) | - | - |
| Vgs (สูงสุด) | ±30V | ±30V | - | - |
| ชุด | SuperFET™ | SuperFET™ | - | - |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 83W (Tc) | 83W (Tc) | - | - |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 30 nC @ 10 V | 30 nC @ 10 V | - | - |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 920 pF @ 25 V | 920 pF @ 25 V | - | - |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | - |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | - | - |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | - | - |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 3.5A, 10V | 600mOhm @ 3.5A, 10V | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | - | - |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 7A (Tc) | 7A (Tc) | - | - |
| ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Bulk | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล FCI7N60 PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ FCI7N60 - onsemi
FCI3216V-4R7TAI-TECHFCI3216V-68NTAI-TECHFCI7750FCIFCI3225-1R0KSMD SensorsFCI7N60Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 600V 7A I2PAKFCI3225F-100KFCI3225-100KTAI-TECHFCI3216V-3R3TAI-TECHFCI3225-180KTAI-TECHFCI3216V-2R2TAI-TECHFCI3216V-47NTAI-TECHFCI322513CF-R47MTAI-TECHFCI3225-1R8KSHINHANFCI3810N/AFCI3225-1R2KSMD SensorsFCI3216V-R10TAI-TECHFCI3225-6R8KTAITECHFCI33210943| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที