ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FCP110N65F
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - FCP110N65F คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - FCP110N65F
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 5V @ 3.5mA | |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220-3 | |
| ชุด | FRFET®, SuperFET® II | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 17.5A, 10V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 357W (Tc) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 4895 pF @ 100 V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 145 nC @ 10 V | |
| ประเภท FET | N-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 650 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 35A (Tc) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FCP110 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi FCP110N65F
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | FCP110N65F | FCP099N60E | FCP067N65S3 | FCP104N60 |
| ผู้ผลิต | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi | Fairchild Semiconductor |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Bulk | Tube | Bulk |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 4895 pF @ 100 V | 3465 pF @ 380 V | 3090 pF @ 400 V | 4165 pF @ 380 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220 | TO-220-3 |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FCP110 | - | FCP067 | - |
| ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | ±30V | ±20V |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 357W (Tc) | 357W (Tc) | 312W (Tc) | 357W (Tc) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 35A (Tc) | 37A (Tc) | 44A (Tc) | 37A (Tc) |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 145 nC @ 10 V | 114 nC @ 10 V | 78 nC @ 10 V | 82 nC @ 10 V |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 17.5A, 10V | 99mOhm @ 18.5A, 10V | 67mOhm @ 22A, 10V | 104mOhm @ 18.5A, 10V |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 5V @ 3.5mA | 3.5V @ 250µA | 4.5V @ 4.4mA | 3.5V @ 250µA |
| ชุด | FRFET®, SuperFET® II | SuperFET® II | SuperFET® III | SuperFET® II |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 650 V | 600 V | 650 V | 600 V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล FCP110N65F PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ FCP110N65F - onsemi
FCP099N60EFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 600V 37A TO220-3FCP11N60N MOSFairchild (onsemi)FCP067N65S3onsemiMOSFET N-CH 650V 44A TO220FCP104N60Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3FCP125N60EonsemiMOSFET N-CH 600V 29A TO220-3FCP11N60F MOSFairchild (onsemi)FCP11N60Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1FCP099N60EonsemiMOSFET N-CH 600V 37A TO220-3FCP125N60EFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, NFCP11N60NonsemiMOSFET N-CH 600V 10.8A TO220-3FCP104N60FonsemiMOSFET N-CH 600V 37A TO220-3FCP11N60FonsemiMOSFET N-CH 600V 11A TO220-3FCP11N60onsemiMOSFET N-CH 600V 11A TO220-3FCP099N65S3onsemiMOSFET N-CH 650V 30A TO220-3FCP104N60onsemiMOSFET N-CH 600V 37A TO220-3FCP11N60NFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
FCP1206H103J-H2Cornell Dubilier Electronics (CDE)CAP FILM 10000PF 5% 50VDC 1206FCP11N60 MOSFairchild (onsemi)| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที