ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FCPF21N60NT
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - FCPF21N60NT คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - FCPF21N60NT
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | - | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220F-3 | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | - | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 Full Pack |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | - | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภท FET | N-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 600 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FCPF21 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi FCPF21N60NT
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | FCPF21N60NT | FCPF2250N80Z | FCPF220N80 | FCPF22N60NT |
| ผู้ผลิต | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FCPF21 | - | FCPF220 | FCPF22 |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220F-3 | TO-220F-3 | TO-220F-3 | TO-220F-3 |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | - | 2.25Ohm @ 1.3A, 10V | 220mOhm @ 11.5A, 10V | 165mOhm @ 11A, 10V |
| ชุด | - | SuperFET® II | SuperFET® II | SupreMOS™ |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 600 V | 800 V | 800 V | 600 V |
| ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| อุณหภูมิในการทำงาน | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | - | 4.5V @ 260µA | 4.5V @ 2.3mA | 4V @ 250µA |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | - | 21.9W (Tc) | 44W (Tc) | 39W (Tc) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Bulk | Tube | Tube |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | - | 2.6A (Tc) | 23A (Tc) | 22A (Tc) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล FCPF21N60NT PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ FCPF21N60NT - onsemi
FCPF2250N80ZFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 800V 2.6A TO220FFCPF220N80onsemiMOSFET N-CH 800V 23A TO220FFCPF20N60SFairchild (onsemi)FCPF22N60NTonsemiMOSFET N-CH 600V 22A TO220FFCPF20N60onsemiMOSFET N-CH 600V 20A TO220FFCPF20N60 MOSFairchild (onsemi)FCPF2250N80Fairchild (onsemi)
FCPF190N65S3L1onsemiMOSFET N-CH 650V 14A TO220F-3FCPF190N65FL1onsemiMOSFET N-CH 650V 20.6A TO220F
FCPF190N65S3R0LonsemiMOSFET N-CH 650V 17A TO220F-3FCPF20N60FSonsemiMOSFET N-CH 600V 20A TO220FFCPF220N80Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTORFCPF250N65S3AMI Semiconductor/onsemiFCPF22N60NT MOSFairchild (onsemi)FCPF190N65S3AMI Semiconductor/onsemiFCPF250N65S3L1onsemiMOSFET N-CH 650V 12A TO220F-3FCPF21N60NTFairchild Semiconductor1-ELEMENT, N-CHANNELFCPF2250N80ZonsemiMOSFET N-CH 800V 2.6A TO220F| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที