ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FDA20N50F
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - FDA20N50F คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - FDA20N50F
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | onsemi | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 5V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±30V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-3PN | |
ชุด | FRFET®, UniFET™ | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 260mOhm @ 11A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 388W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-3P-3, SC-65-3 | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 3390 pF @ 25 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 65 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 500 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 22A (Tc) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FDA20N50 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi FDA20N50F
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | FDA20N50F | FDA20N50-F109 | FDA20N50 | FDA24N50 |
ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FDA20N50 | FDA20N50 | - | FDA24 |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 500 V | 500 V | 500 V | 500 V |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 65 nC @ 10 V | 59.5 nC @ 10 V | 59.5 nC @ 10 V | 85 nC @ 10 V |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | - | 10V |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 22A (Tc) | 22A (Tc) | 22A (Tc) | 24A (Tc) |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 |
ชุด | FRFET®, UniFET™ | UniFET™ | UniFET™ | UniFET™ |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
Vgs (สูงสุด) | ±30V | ±30V | - | ±30V |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-3PN | TO-3PN | TO-3PN | TO-3PN |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 388W (Tc) | 280W (Tc) | - | 270W (Tc) |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 260mOhm @ 11A, 10V | 230mOhm @ 11A, 10V | 230mOhm @ 11A, 10V | 190mOhm @ 12A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 3390 pF @ 25 V | 3120 pF @ 25 V | 3120 pF @ 25 V | 4150 pF @ 25 V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล FDA20N50F PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ FDA20N50F - onsemi
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที