ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FDB150N10
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - FDB150N10 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - FDB150N10
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | onsemi | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4.5V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | D²PAK (TO-263) | |
ชุด | PowerTrench® | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 15mOhm @ 49A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 110W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 4760 pF @ 25 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 69 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 100 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 57A (Tc) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FDB150 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi FDB150N10
คุณสมบัติสินค้า | ![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | FDB150N10 | FDB15N50 | FDB16AN08A0 | FDB14N30TM |
ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4.5V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 4760 pF @ 25 V | 1850 pF @ 25 V | 1857 pF @ 25 V | 1060 pF @ 25 V |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 100 V | 500 V | 75 V | 300 V |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 6V, 10V | 10V |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 69 nC @ 10 V | 41 nC @ 10 V | 42 nC @ 10 V | 25 nC @ 10 V |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk | Bulk |
ชุด | PowerTrench® | - | PowerTrench® | UniFET™ |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 15mOhm @ 49A, 10V | 380mOhm @ 7.5A, 10V | 16mOhm @ 58A, 10V | 290mOhm @ 7A, 10V |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FDB150 | FDB15 | - | - |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | D²PAK (TO-263) | D²PAK (TO-263) | D2PAK (TO-263) | D2PAK (TO-263) |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 110W (Tc) | 300W (Tc) | 135W (Tc) | 140W (Tc) |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±30V | ±20V | ±30V |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 57A (Tc) | 15A (Tc) | 9A (Ta), 58A (Tc) | 14A (Tc) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล FDB150N10 PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ FDB150N10 - onsemi
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที