ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FDC021N30
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - FDC021N30 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - FDC021N30
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SuperSOT™-6 | |
| ชุด | PowerTrench® | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 26mOhm @ 6.1A, 10V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 700mW (Ta) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 710 pF @ 15 V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 10.8 nC @ 10 V | |
| ประเภท FET | N-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 30 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 6.1A (Ta) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FDC021 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi FDC021N30
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | FDC021N30 | FDC-360 | FDC05-48S05 | FDC15-24S05 |
| ผู้ผลิต | onsemi | FDC | HUIZHONG | P-DUKE Technology, Inc. |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | - |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 700mW (Ta) | - | - | - |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 26mOhm @ 6.1A, 10V | - | - | - |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | - | - | - |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 30 V | - | - | - |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 710 pF @ 15 V | - | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | - | - | - |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 6.1A (Ta) | - | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | - | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | - | - | - |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 10.8 nC @ 10 V | - | - | - |
| ชุด | PowerTrench® | - | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SuperSOT™-6 | - | - | - |
| ประเภท FET | N-Channel | - | - | - |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | - | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FDC021 | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | - | - | - |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 3V @ 250µA | - | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล FDC021N30 PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ FDC021N30 - onsemi
FDC-360FDCFDC05-48S05HUIZHONGIGBT ModuleFDC15-24S05P-DUKE Technology, Inc.IGBT Module
FDC1004DSCTTexas InstrumentsIC CAPACITIVE SENSING 4CH 10WSONFDC10-48D05TECHNOLOGYFDC1004DSCJTexas InstrumentsCAPACITIVE SENSING SOLUTIONSFDC10-48S12WP-DUKE Technology, Inc.
FDC1004QDGSRQ1Texas InstrumentsIC CAPACITIVE SENSING 4CH 10VSSOFDC05-12S05P-DUKE Technology, Inc.IGBT ModuleFDC10-48S05WP-DUKE Technology, Inc.FDC10-24D15P-DUKE Technology, Inc.IGBT ModuleFDC10-24S12P-DUKE Technology, Inc.IGBT ModuleFDC10-48S05TECHNOLOGYIGBT ModuleFDC1004DGSTTexas InstrumentsCAPACITIVE SENSING SOLUTIONSFDC1004DSCRTexas InstrumentsCAPACITIVE SENSING SOLUTIONSFDC1004DGSRTexas InstrumentsIC PROXIMITY 4CH 10VSSOPFDC05-12S15NAFDC10-24S33HUIZHONGIGBT Module| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที