ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FDC6321C
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - FDC6321C คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - FDC6321C
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 1.5V @ 250µA | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SuperSOT™-6 | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 450mOhm @ 500mA, 4.5V | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 700mW | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 50pF @ 10V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 2.3nC @ 5V | |
| คุณสมบัติ FET | Logic Level Gate | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 25V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 680mA, 460mA | |
| องค์ประกอบ | N and P-Channel | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FDC6321 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi FDC6321C
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | FDC6321C | FDC6320C | FDC6322C | FDC6320C |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor |
| คุณสมบัติ FET | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
| ชุด | - | - | - | - |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 700mW | 700mW | 700mW | 700mW |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 450mOhm @ 500mA, 4.5V | 4Ohm @ 400mA, 4.5V | 4Ohm @ 400mA, 4.5V | 4Ohm @ 400mA, 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 50pF @ 10V | 9.5pF @ 10V | 9.5pF @ 10V | 9.5pF @ 10V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FDC6321 | FDC6320 | FDC6322 | FDC6320 |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SuperSOT™-6 | SuperSOT™-6 | SuperSOT™-6 | SuperSOT™-6 |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 1.5V @ 250µA | 1.5V @ 250µA | 1.5V @ 250µA | 1.5V @ 250µA |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| องค์ประกอบ | N and P-Channel | N and P-Channel | N and P-Channel | N and P-Channel |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 680mA, 460mA | 220mA, 120mA | 220mA, 460mA | 220mA, 120mA |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 2.3nC @ 5V | 0.4nC @ 4.5V | 0.7nC @ 4.5V | 0.4nC @ 4.5V |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 25V | 25V | 25V | 25V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล FDC6321C PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ FDC6321C - onsemi
FDC6320C-NLVBSEMIFDC6318P-NLFairchild (onsemi)FDC6323LonsemiIC PWR SWITCH P-CH 1:1 SUPERSOT6FDC6322C MOSFairchild (onsemi)FDC6323L MOSFairchild (onsemi)FDC6320ConsemiMOSFET N/P-CH 25V SSOT6FDC6322C-NLFairchild (onsemi)FDC631NFairchild (onsemi)FDC6320Fairchild (onsemi)FDC6322ConsemiMOSFET N/P-CH 25V SSOT-6FDC631N-NLFairchild (onsemi)FDC6320CFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFDC6322CFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFETFDC6321C-NLFairchild (onsemi)FDC6323L-NLFairchild (onsemi)
FDC6322LAPIS TechnologyFDC6318P MOSFairchild (onsemi)FDC6320C MOSFairchild (onsemi)| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที