ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FDC637AN
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - FDC637AN คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - FDC637AN
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | onsemi | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 1.5V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±8V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SuperSOT™-6 | |
ชุด | PowerTrench® | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 6.2A, 4.5V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 1.6W (Ta) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1125 pF @ 10 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 16 nC @ 4.5 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 20 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 6.2A (Ta) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FDC637 |
คุณลักษณะ | ลักษณะ |
---|---|
สถานภาพ RoHS | |
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
เข้าถึงสถานะ | REACH Unaffected |
ECCN | EAR99 |
HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi FDC637AN
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | FDC637AN | FDC638P | FDC638APZ | FDC636P |
ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FDC637 | FDC638 | FDC638 | FDC636 |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 6.2A (Ta) | 4.5A (Ta) | 4.5A (Ta) | 2.8A (Ta) |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 1.6W (Ta) | 1.6W (Ta) | 1.6W (Ta) | 1.6W (Ta) |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SuperSOT™-6 | SuperSOT™-6 | SuperSOT™-6 | SuperSOT™-6 |
Vgs (สูงสุด) | ±8V | ±8V | ±12V | ±8V |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 6.2A, 4.5V | 48mOhm @ 4.5A, 4.5V | 43mOhm @ 4.5A, 4.5V | 130mOhm @ 2.8A, 4.5V |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
ประเภท FET | N-Channel | P-Channel | P-Channel | P-Channel |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 16 nC @ 4.5 V | 14 nC @ 4.5 V | 12 nC @ 4.5 V | 8.5 nC @ 4.5 V |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1125 pF @ 10 V | 1160 pF @ 10 V | 1000 pF @ 10 V | 390 pF @ 10 V |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 1.5V @ 250µA | 1.5V @ 250µA | 1.5V @ 250µA | 1V @ 250µA |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
ชุด | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® | - |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 20 V | 20 V | 20 V | 20 V |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V | 2.5V, 4.5V | 2.5V, 4.5V | 2.5V, 4.5V |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล FDC637AN PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ FDC637AN - onsemi
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที