ต้องการราคาที่ดีกว่า?
[AddToCartTip]未找到翻译
จำนวน | ราคาต่อหน่วย | ราคารวม |
---|---|---|
1+ | $0.58 | $0.58 |
10+ | $0.494 | $4.94 |
100+ | $0.369 | $36.90 |
500+ | $0.29 | $145.00 |
1000+ | $0.224 | $224.00 |
ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FDC642P
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - FDC642P คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - FDC642P
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | onsemi | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 1.5V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±8V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SuperSOT™-6 | |
ชุด | PowerTrench® | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 65mOhm @ 4A, 4.5V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 1.6W (Ta) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 925 pF @ 10 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 16 nC @ 4.5 V | |
ประเภท FET | P-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 20 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 4A (Ta) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FDC642 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi FDC642P
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | FDC642P | FDC640P | FDC642P-F085P | FDC642P |
ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 4A (Ta) | 4.5A (Ta) | 4A (Ta) | 4A (Ta) |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
ชุด | PowerTrench® | PowerTrench® | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® | PowerTrench® |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SuperSOT™-6 | SuperSOT™-6 | TSOT-23-6 | SuperSOT™-6 |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FDC642 | FDC640 | FDC642 | - |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 1.5V @ 250µA | 1.5V @ 250µA | 1.5V @ 250µA | 1.5V @ 250µA |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Vgs (สูงสุด) | ±8V | ±12V | ±8V | ±8V |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 20 V | 20 V | 20 V | 20 V |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 65mOhm @ 4A, 4.5V | 53mOhm @ 4.5A, 4.5V | 65mOhm @ 4A, 4.5V | 65mOhm @ 4A, 4.5V |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 925 pF @ 10 V | 890 pF @ 10 V | 630 pF @ 10 V | 925 pF @ 10 V |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 16 nC @ 4.5 V | 13 nC @ 4.5 V | 9 nC @ 4.5 V | 16 nC @ 4.5 V |
ประเภท FET | P-Channel | P-Channel | P-Channel | P-Channel |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 1.6W (Ta) | 1.6W (Ta) | 1.2W (Ta) | 1.6W (Ta) |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V | 2.5V, 4.5V | 2.5V, 4.5V | 2.5V, 4.5V |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล FDC642P PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ FDC642P - onsemi
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? [AddToCartTip]未找到翻译