ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FDC6506P
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - FDC6506P คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - FDC6506P
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 3V @ 250µA | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SuperSOT™-6 | |
| ชุด | PowerTrench® | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 170mOhm @ 1.8A, 10V | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 700mW | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 190pF @ 15V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 3.5nC @ 10V | |
| คุณสมบัติ FET | Logic Level Gate | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 30V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 1.8A | |
| องค์ประกอบ | 2 P-Channel (Dual) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FDC6506 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi FDC6506P
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | FDC6506P | FDC652P | FDC653N-F073 | FDC6432SH-NL |
| ผู้ผลิต | onsemi | Fairchild (onsemi) | Fairchild (onsemi) | Fairchild (onsemi) |
| คุณสมบัติ FET | Logic Level Gate | - | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | - | - | - |
| องค์ประกอบ | 2 P-Channel (Dual) | - | - | - |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 170mOhm @ 1.8A, 10V | - | - | - |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 3.5nC @ 10V | - | - | - |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 700mW | - | - | - |
| ชุด | PowerTrench® | - | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SuperSOT™-6 | - | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FDC6506 | - | - | - |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 190pF @ 15V | - | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | - | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | - |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 30V | - | - | - |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | - | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | - | - | - |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 3V @ 250µA | - | - | - |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 1.8A | - | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล FDC6506P PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ FDC6506P - onsemi
FDC652PFairchild (onsemi)FDC653N-F073Fairchild (onsemi)FDC6432SH-NLFairchild (onsemi)FDC6506P MOSFairchild (onsemi)FDC6432SH MOSFairchild (onsemi)
FDC645AMI Semiconductor/onsemiFDC645NonsemiMOSFET N-CH 30V 5.5A SUPERSOT6FDC6506AMI Semiconductor/onsemiFDC653NFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFDC6506_NLFairchild (onsemi)FDC653N MOSFairchild (onsemi)FDC645N_NLFairchild (onsemi)FDC6506P-NLFairchild (onsemi)FDC653NonsemiMOSFET N-CH 30V 5A SUPERSOT6FDC645NFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFDC653Fairchild (onsemi)FDC645N MOSFairchild (onsemi)FDC645N-NLFairchild (onsemi)| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที