ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FDC8602
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - FDC8602 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - FDC8602
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SuperSOT™-6 | |
| ชุด | PowerTrench® | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 350mOhm @ 1.2A, 10V | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 690mW | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 70pF @ 50V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 2nC @ 10V | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 100V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 1.2A | |
| องค์ประกอบ | 2 N-Channel (Dual) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FDC8602 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi FDC8602
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | FDC8602 | FDC8886 | FDC855N | FDC8878-NL |
| ผู้ผลิต | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi | AMI Semiconductor/onsemi |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) | - |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 70pF @ 50V | 465 pF @ 15 V | 655 pF @ 15 V | - |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 2nC @ 10V | 7.4 nC @ 10 V | 13 nC @ 10 V | - |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 350mOhm @ 1.2A, 10V | 23mOhm @ 6.5A, 10V | 27mOhm @ 6.1A, 10V | - |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 1.2A | 6.5A (Ta), 8A (Tc) | 6.1A (Ta) | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SuperSOT™-6 | SuperSOT™-6 | SuperSOT™-6 | - |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | - |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | - |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 100V | 30 V | 30 V | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FDC8602 | - | FDC855 | - |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 690mW | - | - | - |
| องค์ประกอบ | 2 N-Channel (Dual) | - | - | - |
| ชุด | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล FDC8602 PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ FDC8602 - onsemi
FDC8886Fairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFDC855NonsemiMOSFET N-CH 30V 6.1A SUPERSOT6FDC8878-NLAMI Semiconductor/onsemiFDC86244onsemiMOSFET N-CH 150V 2.3A SUPERSOT6FDC8602 MOSAMI Semiconductor/onsemiFDC8884 MOSFairchild (onsemi)FDC8878 MOSAMI Semiconductor/onsemiFDC813Fairchild (onsemi)FDC8886onsemiMOSFET N-CH 30V 6.5/8A SUPERSOT6FDC8878onsemiMOSFET N-CH 30V 8A/8A SUPERSOT6FDC8884onsemiMOSFET N-CH 30V 6.5/8A SUPERSOT6FDC796N MOSFairchild (onsemi)FDC796N-NLFairchild (onsemi)FDC8601onsemiMOSFET N-CH 100V 2.7A SUPERSOT6FDC855N MOSFairchild (onsemi)FDC855NFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFDC8601-NLFairchild (onsemi)FDC8601 MOSFairchild (onsemi)| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที