ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FDD4685
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - FDD4685 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - FDD4685
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | onsemi | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 3V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-252AA | |
ชุด | PowerTrench® | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 27mOhm @ 8.4A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 69W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 2380 pF @ 20 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 27 nC @ 5 V | |
ประเภท FET | P-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 40 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 8.4A (Ta), 32A (Tc) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FDD468 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi FDD4685
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | FDD4685 | FDD4243 | FDD4243 | FDD4N60NZ |
ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 27mOhm @ 8.4A, 10V | 44mOhm @ 6.7A, 10V | 44mOhm @ 6.7A, 10V | 2.5Ohm @ 1.7A, 10V |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 69W (Tc) | 42W (Tc) | 42W (Tc) | 114W (Tc) |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 2380 pF @ 20 V | 1550 pF @ 20 V | 1550 pF @ 20 V | 510 pF @ 25 V |
ประเภท FET | P-Channel | P-Channel | P-Channel | N-Channel |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-252AA | TO-252AA | TO-252, (D-Pak) | TO-252AA |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FDD468 | FDD424 | - | FDD4N60 |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 8.4A (Ta), 32A (Tc) | 6.7A (Ta), 14A (Tc) | 6.7A (Ta), 14A (Tc) | 3.4A (Tc) |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | ±20V | ±25V |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 27 nC @ 5 V | 29 nC @ 10 V | 29 nC @ 10 V | 10.8 nC @ 10 V |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 10V |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 40 V | 40 V | 40 V | 600 V |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
ชุด | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® | UniFET-II™ |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | 5V @ 250µA |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล FDD4685 PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ FDD4685 - onsemi
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที