ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FDD6630A
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - FDD6630A คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - FDD6630A
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | onsemi | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 3V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-252AA | |
ชุด | PowerTrench® | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 7.6A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 28W (Ta) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 462 pF @ 15 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 7 nC @ 5 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 30 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 21A (Ta) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FDD6630 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi FDD6630A
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | FDD6630A | FDD6635 | FDD6630A | FDD6606 |
ผู้ผลิต | onsemi | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | onsemi |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 21A (Ta) | 15A (Ta), 59A (Tc) | 21A (Ta) | 75A (Ta) |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 462 pF @ 15 V | 1400 pF @ 20 V | 462 pF @ 15 V | 2400 pF @ 15 V |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 30 V | 35 V | 30 V | 30 V |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 7 nC @ 5 V | 36 nC @ 10 V | 7 nC @ 5 V | 31 nC @ 5 V |
ชุด | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 7.6A, 10V | 10mOhm @ 15A, 10V | 35mOhm @ 7.6A, 10V | 6mOhm @ 17A, 10V |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-252AA | TO-252, (D-Pak) | TO-252, (D-Pak) | TO-252AA |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 28W (Ta) | 3.8W (Ta), 55W (Tc) | 28W (Ta) | 71W (Tc) |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Bulk | Tape & Reel (TR) |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FDD6630 | - | - | FDD660 |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล FDD6630A PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ FDD6630A - onsemi
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที