ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FDG6313N
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - FDG6313N คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - FDG6313N
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 1.5V @ 250µA | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SC-88 (SC-70-6) | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 450mOhm @ 500mA, 4.5V | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 300mW | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 50pF @ 10V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 2.3nC @ 4.5V | |
| คุณสมบัติ FET | Logic Level Gate | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 25V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 500mA | |
| องค์ประกอบ | 2 N-Channel (Dual) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FDG6313 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi FDG6313N
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | FDG6313N | FDG6308P | FDG6314P | FDG6317NZ |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 2.3nC @ 4.5V | 2.5nC @ 4.5V | - | 1.1nC @ 4.5V |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 25V | 20V | 25V | 20V |
| ชุด | - | PowerTrench® | - | PowerTrench® |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 50pF @ 10V | 153pF @ 10V | - | 66.5pF @ 10V |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| องค์ประกอบ | 2 N-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 300mW | 300mW | - | 300mW |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 450mOhm @ 500mA, 4.5V | 400mOhm @ 600mA, 4.5V | - | 400mOhm @ 700mA, 4.5V |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| คุณสมบัติ FET | Logic Level Gate | Logic Level Gate | - | Logic Level Gate |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 500mA | 600mA | - | 700mA |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 1.5V @ 250µA | 1.5V @ 250µA | - | 1.5V @ 250µA |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SC-88 (SC-70-6) | SC-88 (SC-70-6) | SC-88 (SC-70-6) | SC-88 (SC-70-6) |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FDG6313 | FDG6308 | FDG6314 | FDG6317 |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล FDG6313N PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ FDG6313N - onsemi
FDG6308PonsemiMOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88
FDG6308P-NLFairchild (onsemi)FDG6304P-NLFairchild (onsemi)FDG6314PonsemiMOSFET 2P-CH 25V SC70-6FDG6308P MOSFairchild (onsemi)
FDG6304AMI Semiconductor/onsemiFDG6317NZonsemiMOSFET 2N-CH 20V 0.7A SC70-6FDG6313NFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFDG6306PonsemiMOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88FDG6313N MOSFairchild (onsemi)FDG6316PonsemiMOSFET 2P-CH 12V 0.7A SC70-6FDG6304PonsemiMOSFET 2P-CH 25V 0.41A SC70-6FDG6306P MOSFairchild (onsemi)FDG6313N/NLFairchild (onsemi)FDG6304P MOSFairchild (onsemi)FDG6306P-NLFairchild (onsemi)FDG6316P MOSFairchild (onsemi)FDG6313N-NLFairchild (onsemi)| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที