ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FDL100N50F
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - FDL100N50F คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - FDL100N50F
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 5V @ 250µA | |
| Vgs (สูงสุด) | ±30V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-264-3 | |
| ชุด | UniFET™ | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 55mOhm @ 50A, 10V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 2500W (Tc) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-264-3, TO-264AA | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 12000 pF @ 25 V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 238 nC @ 10 V | |
| ประเภท FET | N-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 500 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 100A (Tc) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FDL100 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi FDL100N50F
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | FDL100N50F | FDLL457A | FDL4148 | FDLL400 |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | FRIRCHILD | onsemi |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tape & Reel (TR) | - | Tape & Reel (TR) |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Surface Mount | - | Surface Mount |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 2500W (Tc) | - | - | - |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 55mOhm @ 50A, 10V | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | - | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FDL100 | FDLL457 | - | FDLL400 |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | Standard | - | Standard |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-264-3 | SOD-80 | - | SOD-80 |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 5V @ 250µA | - | - | - |
| Vgs (สูงสุด) | ±30V | - | - | - |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 500 V | - | - | - |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 100A (Tc) | - | - | - |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 238 nC @ 10 V | - | - | - |
| ชุด | UniFET™ | - | - | - |
| ประเภท FET | N-Channel | - | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-264-3, TO-264AA | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | - | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 12000 pF @ 25 V | - | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล FDL100N50F PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ FDL100N50F - onsemi
FDLL457AonsemiDIODE GEN PURP 70V 200MA SOD80FDL4148FRIRCHILDFDLL400onsemiDIODE GEN PURP 150V 200MA SOD80
FDLL485BFairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 180V 200MA SOD80FDLL300onsemiDIODE GEN PURP 125V 200MA SOD80FDLL3595onsemiDIODE GEN PURP 125V 200MA SOD80FDLL457AFairchild SemiconductorRECTIFIER DIODE, 0.2A, 70VFDLL4448onsemiDIODE GEN PURP 100V 200MA SOD80FDLL485Fairchild (onsemi)FDLL400Fairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 150V 200MA SOD80FDLL4148onsemiDIODE GEN PURP 100V 200MA SOD80FDLL300Fairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 125V 200MA SOD80FDLL4150onsemiDIODE GEN PURP 50V 200MA SOD80FDLL4148Fairchild SemiconductorRECTIFIER DIODE, 0.2A, 100V, DO-FDLL3595Fairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 125V 200MA SOD80FDLL4150Fairchild SemiconductorRECTIFIER DIODE, 0.2A, 50VFDLL4148_NLFairchild (onsemi)FDLL300-NLFSC| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที