ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FDMA430NZ
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - FDMA430NZ คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - FDMA430NZ
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | onsemi | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 1.5V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±12V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 6-MicroFET (2x2) | |
ชุด | PowerTrench® | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 5A, 4.5V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 2.4W (Ta) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 6-WDFN Exposed Pad | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 800 pF @ 10 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 11 nC @ 4.5 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 30 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 5A (Ta) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FDMA430 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi FDMA430NZ
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | FDMA430NZ | FDMA520PZ | FDMA420NZ | FDMA420NZ |
ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor |
ประเภท FET | N-Channel | P-Channel | N-Channel | N-Channel |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk |
ชุด | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FDMA430 | FDMA520 | FDMA420 | - |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 6-MicroFET (2x2) | 6-MicroFET (2x2) | 6-MicroFET (2x2) | 6-MicroFET (2x2) |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 1.5V @ 250µA | 1.5V @ 250µA | 1.5V @ 250µA | 1.5V @ 250µA |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 5A (Ta) | 7.3A (Ta) | 5.7A (Ta) | 5.7A (Ta) |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 5A, 4.5V | 30mOhm @ 7.3A, 4.5V | 30mOhm @ 5.7A, 4.5V | 30mOhm @ 5.7A, 4.5V |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 11 nC @ 4.5 V | 20 nC @ 4.5 V | 12 nC @ 4.5 V | 12 nC @ 4.5 V |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 30 V | 20 V | 20 V | 20 V |
Vgs (สูงสุด) | ±12V | ±12V | ±12V | ±12V |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V | 2.5V, 4.5V | 2.5V, 4.5V | 2.5V, 4.5V |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 2.4W (Ta) | 2.4W (Ta) | 2.4W (Ta) | 2.4W (Ta) |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 6-WDFN Exposed Pad | 6-WDFN Exposed Pad | 6-WDFN Exposed Pad | 6-WDFN Exposed Pad |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 800 pF @ 10 V | 1645 pF @ 10 V | 935 pF @ 10 V | 935 pF @ 10 V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล FDMA430NZ PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ FDMA430NZ - onsemi
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที