ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FDMB2308PZ
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - FDMB2308PZ คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - FDMB2308PZ
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 1.5V @ 250µA | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 6-MLP (2x3) | |
| ชุด | PowerTrench® | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 36mOhm @ 5.7A, 4.5V | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 800mW | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 6-WDFN Exposed Pad | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 3030pF @ 10V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 30nC @ 10V | |
| คุณสมบัติ FET | Logic Level Gate | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | - | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | - | |
| องค์ประกอบ | 2 P-Channel (Dual) Common Drain | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FDMB2308 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi FDMB2308PZ
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | FDMB2308PZ | FDMB2307NZ | FDMB3900N | FDMB3900AN |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 6-WDFN Exposed Pad | 6-WDFN Exposed Pad | - | 8-PowerWDFN |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| องค์ประกอบ | 2 P-Channel (Dual) Common Drain | 2 N-Channel (Dual) Common Drain | - | 2 N-Channel (Dual) |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 36mOhm @ 5.7A, 4.5V | - | - | 23mOhm @ 7A, 10V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk | Bulk |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | - | - | - | 7A |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 1.5V @ 250µA | - | - | 3V @ 250µA |
| คุณสมบัติ FET | Logic Level Gate | Logic Level Gate | - | Logic Level Gate |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 6-MLP (2x3) | 6-MLP (2x3) | - | 8-MLP, MicroFET (3x1.9) |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | - | Surface Mount |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 30nC @ 10V | 28nC @ 5V | - | 17nC @ 10V |
| ชุด | PowerTrench® | PowerTrench® | - | PowerTrench® |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 3030pF @ 10V | - | - | 890pF @ 13V |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 800mW | 800mW | - | 800mW |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | MOSFET (Metal Oxide) |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FDMB2308 | FDMB2307 | FDMB3900 | FDMB3900 |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | - | - | - | 25V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล FDMB2308PZ PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ FDMB2308PZ - onsemi
FDMB2307NZ MOSFairchild (onsemi)FDMB2307NZonsemiMOSFET 2N-CH 6MLPFDMA910PZFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFDMB3900NonsemiINTEGRATED CIRCUITFDMA908PZonsemiMOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFETFDMB3900AN MOSFairchild (onsemi)FDMA905P MOSFairchild (onsemi)FDMC007N08LCDConsemiMOSFET N-CH 80V 64A 8PQFNFDMA905PFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFDMB3800N MOSFairchild (onsemi)FDMC007N08LConsemiMOSFET N-CHANNEL 80V 66A 8PQFNFDMB3900ANFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
FDMA905PonsemiMOSFET P-CH 12V 10A 6MICROFETFDMB3800NonsemiMOSFET 2N-CH 30V 8MLP MICROFETFDMB3900ANonsemiMOSFET 2N-CH 25V 7A 8MLP MICROFDMB2307NZFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFDMA910PZonsemiMOSFET P-CH 20V 9.4A 6MICROFETFDMA908PZ MOSFairchild (onsemi)| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที