ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FDMC007N30D
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - FDMC007N30D คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - FDMC007N30D
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 3V @ 250µA | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-Power33 (3x3) | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 11.6mOhm @ 10A, 10V | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 1.9W, 2.5W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-PowerWDFN | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1110pF @ 15V, 2360pF @ 15V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 34nC @ 10V | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 30V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 46A | |
| องค์ประกอบ | 2 N-Channel (Dual) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FDMC007 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi FDMC007N30D
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | FDMC007N30D | FDMC0208 | FDMB3900AN | FDMB3900N |
| ผู้ผลิต | onsemi | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | onsemi |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 30V | - | 25V | - |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 3V @ 250µA | - | 3V @ 250µA | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 34nC @ 10V | - | 17nC @ 10V | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | - | Surface Mount | - |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1110pF @ 15V, 2360pF @ 15V | - | 890pF @ 13V | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-Power33 (3x3) | - | 8-MLP, MicroFET (3x1.9) | - |
| คุณสมบัติ FET | - | - | Logic Level Gate | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-PowerWDFN | - | 8-PowerWDFN | - |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 46A | - | 7A | - |
| ชุด | - | * | PowerTrench® | - |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 1.9W, 2.5W | - | 800mW | - |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 11.6mOhm @ 10A, 10V | - | 23mOhm @ 7A, 10V | - |
| องค์ประกอบ | 2 N-Channel (Dual) | - | 2 N-Channel (Dual) | - |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | - | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FDMC007 | FDMC02 | FDMB3900 | FDMB3900 |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Bulk | Bulk |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล FDMC007N30D PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ FDMC007N30D - onsemi
FDMC010N08ConsemiMOSFET N-CH 80V 11A/51A POWER33FDMC0208onsemiMOSFET N-CHFDMC0208Fairchild SemiconductorN-CHANNEL POWER TRENCH MOSFETFDMB3900ANFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFDMC0202SFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTORFDMC007N08LConsemiMOSFET N-CHANNEL 80V 66A 8PQFNFDMC0223SFairchild (onsemi)FDMC0223Fairchild SemiconductorN-CHANNEL POWER TRENCH SYNCFETFDMC007N08LCDConsemiMOSFET N-CH 80V 64A 8PQFNFDMB3900NonsemiINTEGRATED CIRCUITFDMC0070N30DAMI Semiconductor/onsemiFDMB3900AN MOSFairchild (onsemi)FDMC012N03onsemiMOSFET N-CH 30V 35A/185A POWER33FDMB3800NonsemiMOSFET 2N-CH 30V 8MLP MICROFETFDMB3900ANonsemiMOSFET 2N-CH 25V 7A 8MLP MICROFDMB3800N MOSFairchild (onsemi)FDMC013P030ZonsemiP-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET -30FDMC008N08ConsemiMOSFET N-CHANNEL 80V 60A 8PQFN| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที