ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FDMC6683PZ
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - FDMC6683PZ คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - FDMC6683PZ
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 1.5V @ 250µA | |
| Vgs (สูงสุด) | ±12V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-MLP (3.3x3.3) | |
| ชุด | PowerTrench® | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 26W (Tc) | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 7995 pF @ 10 V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 74 nC @ 10 V | |
| ประเภท FET | P-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 20 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 40A (Tc) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FDMC66 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi FDMC6683PZ
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | FDMC6683PZ | FDMC6683 | FDMC6688P | FDMC6696P |
| ผู้ผลิต | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V | 1.8V, 5V | 1.8V, 4.5V | - |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 40A (Tc) | 12A (Ta), 18A (Tc) | 14A (Ta), 56A (Tc) | - |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 74 nC @ 10 V | 114 nC @ 4.5 V | 61 nC @ 4.5 V | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FDMC66 | - | FDMC6688 | - |
| Vgs (สูงสุด) | ±12V | ±8V | ±8V | - |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 1.5V @ 250µA | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-MLP (3.3x3.3) | 8-MLP (3.3x3.3) | 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 20 V | 20 V | 20 V | - |
| ชุด | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® | * |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | - |
| ประเภท FET | P-Channel | P-Channel | P-Channel | - |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 26W (Tc) | 2.3W (Ta), 41W (Tc) | 2.3W (Ta), 30W (Tc) | - |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 7995 pF @ 10 V | 7835 pF @ 10 V | 7435 pF @ 10 V | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล FDMC6683PZ PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ FDMC6683PZ - onsemi
FDMC6676BZ MOSFairchild (onsemi)FDMC6679AZ MOSAMI Semiconductor/onsemiFDMC6683Fairchild Semiconductor14A, 20V, 0.0084OHM, P-CHANNEL PFDMC6688PonsemiMOSFET P-CH 20V 14A/56A 8PQFNFDMC6696PonsemiFDMC6696 - P-CHANNEL POWERTRENCHFDMC6686PonsemiMOSFET P-CH 20V 18A/56A 8PQFNFDMC6675PZFairchild (onsemi)FDMC6683PZFairchild Semiconductor14A, 20V, 0.0084OHM, P-CHANNEL ,FDMC6679AZonsemiMOSFET P-CH 30V 11.5A/20A 8MLPFDMC6678BZFairchild (onsemi)
FDMC6890NZonsemiMOSFET 2N-CH 20V 4A POWER33FDMC7200SFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFDMC6676BZFairchild SemiconductorP-CHANNEL POWER TRENCH SYNCFETFDMC6676PZ MOSFairchild (onsemi)FDMC7200 MOSFairchild (onsemi)FDMC7200Fairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFDMC6890NZFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4FDMC7200onsemiMOSFET 2N-CH 30V 6A/8A 8POWER33| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที