ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FDMS8560S
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - FDMS8560S คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - FDMS8560S
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | onsemi | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2.2V @ 1mA | |
Vgs (สูงสุด) | ±12V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-PQFN (5x6) | |
ชุด | PowerTrench®, SyncFET™ | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 1.8mOhm @ 30A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 2.5W (Ta), 65W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-PowerTDFN | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 4350 pF @ 13 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 68 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 25 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 30A (Ta), 70A (Tc) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FDMS85 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi FDMS8560S
คุณสมบัติสินค้า | ![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | FDMS8560S | FDMS8558SDC | FDMS8558SDC | FDMS86102LZ |
ผู้ผลิต | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi | Fairchild Semiconductor |
ชุด | PowerTrench®, SyncFET™ | PowerTrench®, SyncFET™ | * | PowerTrench® |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2.2V @ 1mA | 2.2V @ 1mA | - | 2.5V @ 250µA |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | - | - | 4.5V, 10V |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FDMS85 | - | FDMS85 | - |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 1.8mOhm @ 30A, 10V | 1.5mOhm @ 38A, 10V | - | 25mOhm @ 7A, 10V |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | - | N-Channel |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 30A (Ta), 70A (Tc) | 38A (Ta), 90A (Tc) | - | 7A (Ta), 22A (Tc) |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 4350 pF @ 13 V | 5118 pF @ 13 V | - | 1305 pF @ 50 V |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN | - | 8-PowerTDFN |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 25 V | 25 V | - | 100 V |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 2.5W (Ta), 65W (Tc) | 3.3W (Ta), 89W (Tc) | - | 2.5W (Ta), 69W (Tc) |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) | Bulk |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-PQFN (5x6) | 8-PQFN (5x6) | - | 8-PQFN (5x6) |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | - | Surface Mount |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | MOSFET (Metal Oxide) |
Vgs (สูงสุด) | ±12V | ±12V | - | ±20V |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 68 nC @ 10 V | 81 nC @ 10 V | - | 22 nC @ 10 V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล FDMS8560S PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ FDMS8560S - onsemi
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที