ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FDMS86369
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - FDMS86369 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - FDMS86369
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-DFNW (5.2x6.3) | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 7.5mOhm @ 65A, 10V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 107W (Tc) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-PowerTDFN | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 2470 pF @ 40 V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 46 nC @ 10 V | |
| ประเภท FET | N-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 80 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 65A (Tc) |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi FDMS86369
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | FDMS86369 | FDMS86520L | FDMS86322 | FDMS86550 |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 107W (Tc) | 2.5W (Ta), 69W (Tc) | 2.5W (Ta), 104W (Tc) | 2.7W (Ta), 156W (Tc) |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-DFNW (5.2x6.3) | 8-PQFN (5x6) | 8-PQFN (5x6) | 8-PQFN (5x6) |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | 3V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4.5V @ 250µA |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 7.5mOhm @ 65A, 10V | 8.2mOhm @ 13.5A, 10V | 7.65mOhm @ 13A, 10V | 1.65mOhm @ 32A, 10V |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 2470 pF @ 40 V | 4615 pF @ 30 V | 3000 pF @ 50 V | 11530 pF @ 30 V |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 65A (Tc) | 13.5A (Ta), 22A (Tc) | 13A (Ta), 60A (Tc) | 32A (Ta), 155A (Tc) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 80 V | 60 V | 80 V | 60 V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 46 nC @ 10 V | 63 nC @ 10 V | 55 nC @ 10 V | 154 nC @ 10 V |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 4.5V, 10V | 6V, 10V | 8V, 10V |
| ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
FDMS86520LonsemiMOSFET N CH 60V 13.5A 8PQFN
FDMS86322 MOSFairchild (onsemi)FDMS86500L MOSFairchild (onsemi)FDMS86322onsemiMOSFET N-CH 80V 13A/60A 8PQFNFDMS86550onsemiMOSFET N-CH 60V 32A/155A POWER56FDMS86500LonsemiMOSFET N-CH 60V 25A/80A 8PQFNFDMS86381-F085onsemiMOSFET N-CH 80V 30A POWER56FDMS86310onsemiMOSFET N-CH 80V 17A/50A 8PQFNFDMS86500DConsemiMOSFET N-CH 60V 29A DLCOOL56FDMS86320onsemiMOSFET N-CH 80V 10.5A/22A 8PQFNFDMS86300 MOSFairchild (onsemi)FDMS86540onsemiMOSFET N-CH 60V 20A/50A 8PQFNFDMS86520onsemiMOSFET N-CH 60V 14A/42A 8PQFNFDMS86350ET80onsemiMOSFET N-CH 80V 25A/198A POWER56FDMS86368Fairchild (onsemi)FDMS86368_F085Fairchild (onsemi)FDMS86300DConsemiMOSFET N-CH 80V 24A/76A DLCOOL56FDMS86350onsemiMOSFET N-CH 80V 25A/130A POWER56| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที