ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FDP032N08
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - FDP032N08 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - FDP032N08
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | onsemi | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4.5V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220-3 | |
ชุด | PowerTrench® | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 3.2mOhm @ 75A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 375W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 15160 pF @ 25 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 220 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 75 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 120A (Tc) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FDP032 |
คุณลักษณะ | ลักษณะ |
---|---|
สถานภาพ RoHS | |
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | Not Applicable |
เข้าถึงสถานะ | REACH Unaffected |
ECCN | EAR99 |
HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi FDP032N08
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | FDP032N08 | FDP032N08B | FDP032N08B-F102 | FDP032N08 |
ผู้ผลิต | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi | Texas Instruments |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 220 nC @ 10 V | - | 144 nC @ 10 V | 220 nC @ 10 V |
ประเภท FET | N-Channel | - | N-Channel | N-Channel |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 3.2mOhm @ 75A, 10V | - | 3.3mOhm @ 100A, 10V | 3.2mOhm @ 75A, 10V |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | - | TO-220-3 | TO-220-3 |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 15160 pF @ 25 V | - | 10965 pF @ 40 V | 15160 pF @ 25 V |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | - | ±20V | ±20V |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FDP032 | - | FDP032 | FDP032 |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | - | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
ชุด | PowerTrench® | * | PowerTrench® | - |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 120A (Tc) | - | 120A (Tc) | 120A (Tc) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220-3 | - | TO-220-3 | TO-220-3 |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Bulk | Tube | Bulk |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4.5V @ 250µA | - | 4.5V @ 250µA | 4.5V @ 250µA |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | - | 10V | 10V |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | - | Through Hole | Through Hole |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 75 V | - | 80 V | 75 V |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 375W (Tc) | - | 263W (Tc) | 375W (Tc) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล FDP032N08 PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ FDP032N08 - onsemi
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที