ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FDPC5030SG
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - FDPC5030SG คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - FDPC5030SG
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 3V @ 250µA | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Power Clip 56 | |
| ชุด | PowerTrench® | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 5mOhm @ 17A, 10V | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 1W, 1.1W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-PowerWDFN | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1715pF @ 15V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 24nC @ 10V | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 30V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 17A, 25A | |
| องค์ประกอบ | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FDPC5030 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi FDPC5030SG
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | FDPC5030SG | FDPC8012S | FDPC1002S | FDPC5018SG |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 3V @ 250µA | 2.2V @ 250µA | - | 3V @ 250µA |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Power Clip 56 | Powerclip-33 | - | Power Clip 56 |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 17A, 25A | 13A, 26A | - | 17A, 32A |
| คุณสมบัติ FET | - | Logic Level Gate | - | - |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 24nC @ 10V | 8nC @ 4.5V | - | 24nC @ 10V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-PowerWDFN | 8-PowerWDFN | - | 8-PowerWDFN |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 5mOhm @ 17A, 10V | 7mOhm @ 12A, 4.5V | - | 5mOhm @ 17A, 10V |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | - | Surface Mount |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 30V | 25V | - | 30V |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | MOSFET (Metal Oxide) |
| ชุด | PowerTrench® | PowerTrench® | - | PowerTrench® |
| องค์ประกอบ | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical | - | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1715pF @ 15V | 1075pF @ 13V | - | 1715pF @ 15V |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FDPC5030 | FDPC8012 | FDPC1 | FDPC5018 |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 1W, 1.1W | 800mW, 900mW | - | 1W, 1.1W |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล FDPC5030SG PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ FDPC5030SG - onsemi
FDPC8012SonsemiMOSFET 2N-CH 25V 13A/26A PWR CLP
FDP8880 MOSFairchild (onsemi)FDPC1002SonsemiMOSFET
FDP8896onsemiMOSFET N-CH 30V 16A/92A TO220-3FDPC5018SGonsemiMOSFET 2N-CH 30V PWRCLIP56FDPF035N06B MOSFairchild (onsemi)FDPC8013SonsemiMOSFET 2N-CH 30V 13A/26A 3.3MMFDPC8014SonsemiMOSFET 2N-CH 25V 8PWRCLIPFDPC8016SonsemiMOSFET 2N-CH 25V 8PWRCLIPFDPC8016S MOSFairchild (onsemi)FDP8N50NZFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8FDP8880onsemiMOSFET N-CH 30V 11A/54A TO220-3FDP8896Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8FDPF035N06BFairchild Semiconductor88A, 60V, 0.0035OHM, N CHANNEL ,FDP8896 MOSFairchild (onsemi)FDPC8011SonsemiMOSFET 2N-CH 25V 13A/27A 8PQFNFDPC1002SFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1FDP8N50NZonsemiMOSFET N-CH 500V 8A TO220-3| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที