ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FDPF5N50FT
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - FDPF5N50FT คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - FDPF5N50FT
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | onsemi | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 5V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±30V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220F-3 | |
ชุด | UniFET™ | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 1.55Ohm @ 2.25A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 28W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 Full Pack | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 700 pF @ 25 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 8 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 500 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 4.5A (Tc) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FDPF5 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi FDPF5N50FT
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | FDPF5N50FT | FDPF5N50NZF | FDPF4N60NZ | FDPF5N50NZF |
ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 8 nC @ 10 V | 12 nC @ 10 V | 10.8 nC @ 10 V | 12 nC @ 10 V |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FDPF5 | - | FDPF4 | - |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 700 pF @ 25 V | 485 pF @ 25 V | 510 pF @ 25 V | 485 pF @ 25 V |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
Vgs (สูงสุด) | ±30V | ±25V | ±25V | ±25V |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220F-3 | TO-220F-3 | TO-220F-3 | TO-220F-3 |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 28W (Tc) | 30W (Tc) | 28W (Tc) | 30W (Tc) |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 4.5A (Tc) | 4.2A (Tc) | 3.8A (Tc) | 4.2A (Tc) |
ชุด | UniFET™ | UniFET-II™ | UniFET-II™ | UniFET-II™ |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 500 V | 500 V | 600 V | 500 V |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Bulk | Tube | Bulk |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 1.55Ohm @ 2.25A, 10V | 1.75Ohm @ 2.1A, 10V | 2.5Ohm @ 1.9A, 10V | 1.75Ohm @ 2.1A, 10V |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล FDPF5N50FT PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ FDPF5N50FT - onsemi
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที