ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FDS3601
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - FDS3601 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - FDS3601
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-SOIC | |
| ชุด | PowerTrench® | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 480mOhm @ 1.3A, 10V | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 900mW | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 153pF @ 50V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 5nC @ 10V | |
| คุณสมบัติ FET | Logic Level Gate | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 100V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 1.3A | |
| องค์ประกอบ | 2 N-Channel (Dual) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FDS36 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi FDS3601
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | FDS3601 | FDS3601 | FDS3601N | FDS3612 |
| ผู้ผลิต | onsemi | Fairchild Semiconductor | VBSEMI | onsemi |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | - | 4V @ 250µA |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | - | Surface Mount |
| คุณสมบัติ FET | Logic Level Gate | Logic Level Gate | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | - | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FDS36 | FDS36 | - | FDS36 |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 100V | 100V | - | 100 V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Bulk | - | Tape & Reel (TR) |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 900mW | 900mW | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-SOIC | 8-SOIC | - | 8-SOIC |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | MOSFET (Metal Oxide) |
| องค์ประกอบ | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | - | - |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 1.3A | 1.3A | - | 3.4A (Ta) |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 480mOhm @ 1.3A, 10V | 480mOhm @ 1.3A, 10V | - | 120mOhm @ 3.4A, 10V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 5nC @ 10V | 5nC @ 10V | - | 20 nC @ 10 V |
| ชุด | PowerTrench® | PowerTrench® | - | PowerTrench® |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 153pF @ 50V | 153pF @ 50V | - | 632 pF @ 50 V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล FDS3601 PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ FDS3601 - onsemi
FDS3601NVBSEMIFDS3612onsemiMOSFET N-CH 100V 3.4A 8SOICFDS3601_NLFairchild (onsemi)FDS3590Fairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFDS3670Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 100V 6.3A 8SOICFDS3590onsemiMOSFET N-CH 80V 6.5A 8SOICFDS3612Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 100V 3.4A 8SOICFDS3590-NLFairchild (onsemi)FDS3580Fairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFDS3601 MOSFairchild (onsemi)FDS3590 MOSFairchild (onsemi)FDS3590_NL MOSFairchild (onsemi)FDS3601-NLVBSEMIFDS3580_NLFairchild (onsemi)FDS3580onsemiMOSFET N-CH 80V 7.6A 8SOICFDS3601Fairchild SemiconductorN-CHANNEL POWER MOSFET
FDS3580-NLAMI Semiconductor/onsemiFDS3580 MOSFairchild (onsemi)| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที