ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FDS3812
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - FDS3812 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - FDS3812
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-SOIC | |
| ชุด | PowerTrench® | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 74mOhm @ 3.4A, 10V | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 900mW | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 634pF @ 40V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 18nC @ 10V | |
| คุณสมบัติ FET | Logic Level Gate | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 80V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 3.4A | |
| องค์ประกอบ | 2 N-Channel (Dual) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FDS38 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi FDS3812
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | FDS3812 | FDS3912 | FDS3890 | FDS3682_NL |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 634pF @ 40V | 632pF @ 50V | 1180pF @ 40V | 1300 pF @ 25 V |
| คุณสมบัติ FET | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 3.4A | 3A | 4.7A | 6A (Ta) |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FDS38 | FDS39 | FDS38 | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 74mOhm @ 3.4A, 10V | 125mOhm @ 3A, 10V | 44mOhm @ 4.7A, 10V | 35mOhm @ 6A, 10V |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| องค์ประกอบ | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | - |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 900mW | 900mW | 900mW | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 18nC @ 10V | 20nC @ 10V | 35nC @ 10V | 25 nC @ 10 V |
| ชุด | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 80V | 100V | 80V | 100 V |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล FDS3812 PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ FDS3812 - onsemi
FDS3682_NLFairchild SemiconductorN-CHANNEL POWER MOSFETFDS3812 MOSFairchild (onsemi)FDS3682 MOSFairchild (onsemi)
FDS3890-NLFSIRCHILDFDS3890 MOSFairchild (onsemi)FDS3912onsemiMOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOICFDS3890onsemiMOSFET 2N-CH 80V 4.7A 8-SOFDS3682onsemiMOSFET N-CH 100V 6A 8SOICFDS3692onsemiMOSFET N-CH 100V 4.5A 8SOICFDS3812-NLVBSEMIFDS3692Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4FDS3692-NLFairchild (onsemi)FDS3812_NLFairchild (onsemi)FDS3690Fairchild (onsemi)FDS3692 MOSFairchild (onsemi)FDS3890AFairchild (onsemi)FDS3912 MOSFairchild (onsemi)FDS3682-NLFairchild (onsemi)| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที