ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FDS6299S
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - FDS6299S คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - FDS6299S
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | onsemi | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 3V @ 1mA | |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-SOIC | |
ชุด | PowerTrench® | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 3.9mOhm @ 21A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 3W (Ta) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 3880 pF @ 15 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 81 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 30 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 21A (Ta) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FDS62 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi FDS6299S
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | FDS6299S | FDS6375 | FDS6299S | FDS6298 |
ผู้ผลิต | onsemi | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±8V | ±20V | ±20V |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FDS62 | - | - | - |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | 2.5V, 4.5V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 81 nC @ 10 V | 36 nC @ 4.5 V | 81 nC @ 10 V | 14 nC @ 5 V |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 3W (Ta) | 2.5W (Ta) | 3W (Ta) | 3W (Ta) |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 3.9mOhm @ 21A, 10V | 24mOhm @ 8A, 4.5V | 3.9mOhm @ 21A, 10V | 9mOhm @ 13A, 10V |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 3V @ 1mA | 1.5V @ 250µA | 3V @ 1mA | 3V @ 250µA |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 3880 pF @ 15 V | 2694 pF @ 10 V | 3880 pF @ 15 V | 1108 pF @ 15 V |
ประเภท FET | N-Channel | P-Channel | N-Channel | N-Channel |
ชุด | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Bulk | Bulk |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 30 V | 20 V | 30 V | 30 V |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 21A (Ta) | 8A (Ta) | 21A (Ta) | 13A (Ta) |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล FDS6299S PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ FDS6299S - onsemi
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที