ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FDS8333C
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - FDS8333C คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - FDS8333C
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 3V @ 250µA | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-SOIC | |
| ชุด | PowerTrench® | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 4.1A, 10V | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 900mW | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 282pF @ 10V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 6.6nC @ 4.5V | |
| คุณสมบัติ FET | Logic Level Gate | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 30V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 4.1A, 3.4A | |
| องค์ประกอบ | N and P-Channel | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FDS83 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi FDS8333C
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | FDS8333C | FDS8433A | FDS8433A | FDS8426A-NL |
| ผู้ผลิต | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi | VBSEMI |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | - |
| ชุด | PowerTrench® | - | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FDS83 | - | FDS84 | - |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 30V | 20 V | 20 V | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) | - |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 6.6nC @ 4.5V | 28 nC @ 5 V | 28 nC @ 5 V | - |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 3V @ 250µA | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA | - |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 4.1A, 3.4A | 5A (Ta) | 5A (Ta) | - |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 900mW | - | - | - |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 4.1A, 10V | 47mOhm @ 5A, 4.5V | 47mOhm @ 5A, 4.5V | - |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 282pF @ 10V | 1130 pF @ 10 V | 1130 pF @ 10 V | - |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
| คุณสมบัติ FET | Logic Level Gate | - | - | - |
| องค์ประกอบ | N and P-Channel | - | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล FDS8333C PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ FDS8333C - onsemi
FDS8433AFairchild SemiconductorMOSFET P-CH 20V 5A 8SOICFDS8433AonsemiMOSFET P-CH 20V 5A 8SOICFDS8426A-NLVBSEMIFDS7796Fairchild (onsemi)FDS7788 MOSFairchild (onsemi)
FDS8333C MOSAMI Semiconductor/onsemiFDS7788onsemiMOSFET N-CH 30V 18A 8SOICFDS8425AFairchild (onsemi)FDS8413_NLFairchild (onsemi)FDS7779Z-NLFairchild (onsemi)FDS7788-NLVBSEMIFDS7792Fairchild (onsemi)FDS8333C-NLFairchild (onsemi)FDS7788_NLFairchild (onsemi)FDS79ZN3Fairchild (onsemi)FDS7788Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 30V 18A 8SOICFDS8425_NLFairchild (onsemi)FDS7779Z MOSFairchild (onsemi)| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที