ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FDS8858CZ
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - FDS8858CZ คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - FDS8858CZ
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 3V @ 250µA | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-SOIC | |
| ชุด | PowerTrench® | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 17mOhm @ 8.6A, 10V | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 900mW | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1205pF @ 15V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 24nC @ 10V | |
| คุณสมบัติ FET | Logic Level Gate | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 30V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 8.6A, 7.3A | |
| องค์ประกอบ | N and P-Channel | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FDS8858 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi FDS8858CZ
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | FDS8858CZ | FDS8858CZ | FDS8870 | FDS8870-NL |
| ผู้ผลิต | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi | Fairchild (onsemi) |
| คุณสมบัติ FET | Logic Level Gate | Logic Level Gate | - | - |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1205pF @ 15V | 1205pF @ 15V | 4615 pF @ 15 V | - |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 17mOhm @ 8.6A, 10V | 17mOhm @ 8.6A, 10V | 4.2mOhm @ 18A, 10V | - |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 900mW | 900mW | - | - |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 24nC @ 10V | 24nC @ 10V | 112 nC @ 10 V | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FDS8858 | FDS8858 | FDS88 | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) | - |
| องค์ประกอบ | N and P-Channel | N and P-Channel | - | - |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 30V | 30V | 30 V | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | - |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 8.6A, 7.3A | 8.6A, 7.3A | 18A (Ta) | - |
| ชุด | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล FDS8858CZ PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ FDS8858CZ - onsemi
FDS8870onsemiMOSFET N-CH 30V 18A 8SOICFDS8870-NLFairchild (onsemi)
FDS8858CZ-NLVBSEMIFDS8842NZ MOSFairchild (onsemi)FDS8870_NLFairchild (onsemi)
FDS8858CZ MOSAMI Semiconductor/onsemiFDS8842NZ-NLN/AFDS8870_NL MOSFairchild (onsemi)FDS8858HFairchild (onsemi)FDS8840NZ MOSFairchild (onsemi)FDS8842NZonsemiMOSFET N-CH 40V 14.9A 8SOICFDS8858CZFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8FDS8840NZonsemiMOSFET N-CH 40V 18.6A 8SOICFDS8870Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1FDS8840NZ-NLFairchild (onsemi)FDS8842NZFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFDS8870 MOSFairchild (onsemi)fds8858VBSEMI| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที