ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FDS89141
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - FDS89141 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - FDS89141
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-SOIC | |
| ชุด | PowerTrench® | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 62mOhm @ 3.5A, 10V | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 1.6W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 398pF @ 50V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 7.1nC @ 10V | |
| คุณสมบัติ FET | Logic Level Gate | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 100V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 3.5A | |
| องค์ประกอบ | 2 N-Channel (Dual) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FDS89 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi FDS89141
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | FDS89141 | FDS8926A | FDS89161 | FDS8926 |
| ผู้ผลิต | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi | Fairchild Semiconductor |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | - |
| คุณสมบัติ FET | Logic Level Gate | Logic Level Gate | - | - |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 62mOhm @ 3.5A, 10V | 30mOhm @ 5.5A, 4.5V | 105mOhm @ 2.7A, 10V | - |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 398pF @ 50V | 900pF @ 10V | 210pF @ 50V | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FDS89 | FDS89 | FDS89 | FDS89 |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| ชุด | PowerTrench® | - | PowerTrench® | * |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 3.5A | 5.5A | 2.7A | - |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 7.1nC @ 10V | 28nC @ 4.5V | 4.1nC @ 10V | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | - |
| องค์ประกอบ | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | 1V @ 250µA | 4V @ 250µA | - |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 100V | 30V | 100V | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC | - |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 1.6W | 900mW | 1.6W | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล FDS89141 PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ FDS89141 - onsemi
FDS89161LZFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2FDS8896-NLFairchild (onsemi)FDS8926AFairchild SemiconductorN-CHANNEL POWER MOSFETFDS8896 MOSFairchild (onsemi)FDS89161onsemiMOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOICFDS8896ASFairchild (onsemi)
FDS89161LZ MOSAMI Semiconductor/onsemiFDS8926Fairchild SemiconductorMOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8-SOFDS8896Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1FDS8884_NLFairchild (onsemi)FDS8896_NL.Fairchild (onsemi)FDS89161LZonsemiMOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC
FDS89141 MOSFDSFDS8896onsemiMOSFET N-CH 30V 15A 8SOICFDS8896_NL MOSFairchild (onsemi)FDS89161Fairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFDS8896_NLFairchild (onsemi)FDS8884_GFairchild (onsemi)| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที