ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FDS8934A
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - FDS8934A คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - FDS8934A
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 1V @ 250µA | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-SOIC | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 55mOhm @ 4A, 4.5V | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 900mW | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1130pF @ 10V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 28nC @ 5V | |
| คุณสมบัติ FET | Logic Level Gate | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 20V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 4A | |
| องค์ประกอบ | 2 P-Channel (Dual) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FDS89 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi FDS8934A
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | FDS8934A | FDS8936A | FDS8928A | FDS8928A |
| ผู้ผลิต | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi | Fairchild Semiconductor |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 28nC @ 5V | 27nC @ 10V | 28nC @ 4.5V | 28nC @ 4.5V |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FDS89 | FDS89 | FDS89 | FDS89 |
| ชุด | - | PowerTrench® | - | - |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 900mW | 900mW (Ta) | 900mW | 900mW |
| องค์ประกอบ | 2 P-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | N and P-Channel | N and P-Channel |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 55mOhm @ 4A, 4.5V | 28mOhm @ 6A, 10V | 30mOhm @ 5.5A, 4.5V | 30mOhm @ 5.5A, 4.5V |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| คุณสมบัติ FET | Logic Level Gate | - | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 20V | 30V | 30V, 20V | 30V, 20V |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 4A | 6A (Ta) | 5.5A, 4A | 5.5A, 4A |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1130pF @ 10V | 650pF @ 15V | 900pF @ 10V | 900pF @ 10V |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 1V @ 250µA | 3V @ 250µA | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล FDS8934A PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ FDS8934A - onsemi
FDS8934Fairchild (onsemi)FDS8928A-NLFairchild (onsemi)
FDS8935_NLFDSFDS8926A MOSFairchild (onsemi)FDS8934A_NLFDSFDS8936AFairchild SemiconductorN-CHANNEL POWER MOSFETFDS8928AonsemiMOSFET N/P-CH 30V/20V 8SOICFDS8928A MOSFairchild (onsemi)FDS8934A MOSFairchild (onsemi)FDS8934-NLVBSEMIFDS8934A-NLVBSEMIFDS8928AFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5FDS8928-NLVBSEMIFDS8935onsemiMOSFET 2P-CH 80V 2.1A 8SOICFDS8926A-NLFairchild (onsemi)
FDS8935-NLAMI Semiconductor/onsemiFDS8934AFairchild SemiconductorP-CHANNEL POWER MOSFETFDS8926S-NLFairchild (onsemi)| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที