ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FDS8984
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - FDS8984 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - FDS8984
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-SOIC | |
| ชุด | PowerTrench® | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 7A, 10V | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 1.6W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 635pF @ 15V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 13nC @ 10V | |
| คุณสมบัติ FET | Logic Level Gate | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 30V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 7A | |
| องค์ประกอบ | 2 N-Channel (Dual) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FDS89 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi FDS8984
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | FDS8984 | FDS8978 | FDS8962C | FDS8962C |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC |
| คุณสมบัติ FET | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
| ชุด | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® |
| องค์ประกอบ | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | N and P-Channel | N and P-Channel |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 30V | 30V | 30V | 30V |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 1.6W | 1.6W | 900mW | 900mW |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 7A | 7.5A | 7A, 5A | 7A, 5A |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FDS89 | FDS89 | FDS89 | FDS89 |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 635pF @ 15V | 1270pF @ 15V | 575pF @ 15V | 575pF @ 15V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 13nC @ 10V | 26nC @ 10V | 26nC @ 10V | 26nC @ 10V |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 7A, 10V | 18mOhm @ 7.5A, 10V | 30mOhm @ 7A, 10V | 30mOhm @ 7A, 10V |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล FDS8984 PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ FDS8984 - onsemi
FDS8962C_NLFairchild (onsemi)FDS8984 MOSFairchild (onsemi)FDS8978_NLFairchild (onsemi)FDS8978-NLFairchild (onsemi)FDS8984_F085Fairchild (onsemi)FDS8978 MOSFairchild (onsemi)FDS8978NLFairchild (onsemi)FDS8978Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6FDS9400AFairchild SemiconductorMOSFET P-CH 30V 3.4A 8SOICFDS9400AonsemiMOSFET P-CH 30V 3.4A 8SOICFDS8978onsemiMOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOICFDS8962C MOSFairchild (onsemi)FDS8962ConsemiMOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOICFDS9400Fairchild (onsemi)FDS8984_NLFairchild (onsemi)FDS8962CFairchild SemiconductorP-CHANNEL POWER MOSFETFDS8984-NLFairchild (onsemi)FDS9400A MOSFairchild (onsemi)| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที