ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FDT86256
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - FDT86256 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - FDT86256
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | onsemi | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-223-4 | |
ชุด | PowerTrench® | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 845mOhm @ 1.2A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 2.3W (Ta), 10W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-261-4, TO-261AA | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 73 pF @ 75 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 2 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 150 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 1.2A (Ta), 3A (Tc) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FDT86 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi FDT86256
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | FDT86256 | FDT86106LZ | FDT86244 | FDT86246L |
ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 1.2A (Ta), 3A (Tc) | 3.2A (Ta) | 2.8A (Tc) | 2A (Ta) |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 2 nC @ 10 V | 7 nC @ 10 V | 7 nC @ 10 V | 6.3 nC @ 10 V |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 845mOhm @ 1.2A, 10V | 108mOhm @ 3.2A, 10V | 128mOhm @ 2.8A, 10V | 228mOhm @ 2A, 10V |
ชุด | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 2.3W (Ta), 10W (Tc) | 2.2W (Ta) | 2.2W (Ta) | 1W (Ta) |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FDT86 | FDT86106 | FDT86 | FDT86246 |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-261-4, TO-261AA | TO-261-4, TO-261AA | TO-261-4, TO-261AA | TO-261-4, TO-261AA |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 150 V | 100 V | 150 V | 150 V |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | 4.5V, 10V | 6V, 10V | 4.5V, 10V |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | 2.2V @ 250µA | 4V @ 250µA | 2.5V @ 250µA |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-223-4 | SOT-223-4 | SOT-223-4 | SOT-223-4 |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 73 pF @ 75 V | 315 pF @ 50 V | 395 pF @ 75 V | 335 pF @ 75 V |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล FDT86256 PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ FDT86256 - onsemi
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที