ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FES16GT
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - FES16GT คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - FES16GT
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.3 V @ 8 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 400 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220-2 | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 50 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-2 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 400 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 16A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 170pF @ 4V, 1MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FES16 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi FES16GT
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | FES16GT | FES16FT-E3/45 | FES16DT-E3/45 | FES16JT |
| ผู้ผลิต | onsemi | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | onsemi |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 400 V | 10 µA @ 300 V | 10 µA @ 200 V | 10 µA @ 600 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 400 V | 300 V | 200 V | 600 V |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 50 ns | 50 ns | 35 ns | 50 ns |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-2 | TO-220-2 | TO-220-2 | TO-220-2 |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 16A | 16A | 16A | 16A |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.3 V @ 8 A | 1.3 V @ 16 A | 975 mV @ 16 A | 1.5 V @ 8 A |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FES16 | FES16 | FES16 | FES16 |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220-2 | TO-220AC | TO-220AC | TO-220-2 |
| ชุด | - | - | - | - |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 170pF @ 4V, 1MHz | - | - | 145pF @ 4V, 1MHz |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล FES16GT PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ FES16GT - onsemi
FES16FT MOSGIFES16FT-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 300V 16A TO220ACFES16DT-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 16A TO220ACFES1D TRTBFAGORFES16JTonsemiDIODE GEN PURP 600V 16A TO220-2FES16JT-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 16A TO220AC
FES16DTFairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 200V 16A TO220-2FES16CTonsemiDIODE GEN PURP 150V 16A TO220-2FES16DTonsemiDIODE GEN PURP 200V 16A TO220-2FES16DTRFairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 200V 16A TO220-2FES16GT-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 400V 16A TO220ACFES16JTFairchild SemiconductorRECTIFIER DIODEFES16HTonsemiDIODE GEN PURP 500V 16A TO220-2FES16HTFairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 500V 16A TO220-2FES16FTFairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 300V 16A TO220-2FES16DTRonsemiDIODE GEN PURP 200V 16A TO220-2FES16FTonsemiDIODE GEN PURP 300V 16A TO220-2FES16JTRonsemiDIODE GEN PURP 600V 16A TO220-2| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที