ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FGA120N30DTU
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - FGA120N30DTU คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - FGA120N30DTU
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 300 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 1.4V @ 15V, 25A | |
| ทดสอบสภาพ | - | |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | - | |
| การสลับพลังงาน | - | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-3P | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 21 ns | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 290 W |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-3P-3, SC-65-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทขาเข้า | Standard | |
| ประเภท IGBT | - | |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 120 nC | |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 300 A | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 120 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FGA120N30 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi FGA120N30DTU
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | FGA120N30DTU | FGA15N120ANTDTU | FGA15S125P | FGA15N120ANTDTU-F109 |
| ผู้ผลิต | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 300 V | 1200 V | 1250 V | 1200 V |
| ทดสอบสภาพ | - | 600V, 15A, 10Ohm, 15V | - | 600V, 15A, 10Ohm, 15V |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 300 A | 45 A | 45 A | 45 A |
| ประเภทขาเข้า | Standard | Standard | Standard | Standard |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 290 W | 186 W | 136 W | 186 W |
| การสลับพลังงาน | - | 3mJ (on), 600µJ (off) | - | 3mJ (on), 600µJ (off) |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 1.4V @ 15V, 25A | 2.4V @ 15V, 15A | 2.72V @ 15V, 15A | 2.4V @ 15V, 15A |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 120 A | 30 A | 30 A | 30 A |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 21 ns | 330 ns | - | 330 ns |
| ประเภท IGBT | - | NPT and Trench | Trench | NPT and Trench |
| ชุด | - | - | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-3P | TO-3P | TO-3P | TO-3P |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | - | 15ns/160ns | - | 15ns/160ns |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 120 nC | 120 nC | 129 nC | 120 nC |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FGA120N30 | FGA15N120 | FGA15S125 | FGA15N120 |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล FGA120N30DTU PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ FGA120N30DTU - onsemi
FGA15N120ANTDTUFairchild SemiconductorIGBT, 30A, 1200V, N-CHANNELFGA15S125PonsemiIGBT TRENCH 1250V 30A TO3PFGA15N120ANTDTU-F109onsemiIGBT 1200V 30A 186W TO3PFGA120N30DTUFairchild SemiconductorIGBT, 120A, 300V, N-CHANNELFGA15S125PFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
FGA180N33ATDTUAMI Semiconductor/onsemiFGA15N120ANTDTUonsemiIGBT 1200V 30A 186W TO3PFGA180N33ATFairchild (onsemi)FGA15N120ANTDFairchild (onsemi)FGA180N33ATDTAMI Semiconductor/onsemiFGA15N120ANDTUonsemiIGBT 1200V 24A 200W TO3PFGA180N30DTUFairchild SemiconductorIGBT, 180A, 300V, N-CHANNELFGA180N30DTUonsemiIGBT 300V 180A 480W TO3PFGA15N120FTDTUonsemiIGBT 1200V 30A 220W TO3PNFGA15t120smdFairchild (onsemi)FGA15N120FTDTUFairchild SemiconductorIGBT, 30A, 1200V, N-CHANNELFGA15N120Fairchild (onsemi)FGA15N120FTDFairchild (onsemi)| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที